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铁电存储器总剂量辐射效应初探

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摘要

存储器作为电子系统必不可少的重要组成部分，是电子系统程存储和数据存储的主要载体，本文主要对新型存储器铁电存储器(FRAM)总剂量电离辐射效应进行了初步研究，并与目前应用较多的典型半导体存储器辐射效应进行了比较，获得了FRAM比传统半导体存储器具有更好抗总剂量辐射能力的结果。

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来源
《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2009年|p.47-51|共5页
会议地点沈阳
作者
牛振红; 崔帅; 张力; 刘生东; 刘洪艳;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类外存贮器（辅助存贮器）总论;
关键词
铁电存储器; 辐射效应; 电子系统;

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