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SRAM存储器单粒子效应试验研究

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本文介绍了SRAM存储器单粒子翻转效应测试方法，探讨了SRAM存储器在重离子辐照下单粒子翻转现象，通过分段数值模拟计算方法得出了σhl重离子翻转饱和截面和LET(025)，值的试验结果，这些结果对器件抗辐射加固评估技术研究有重要价值。

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来源
《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2009年|p.261-265|共5页
会议地点沈阳
作者
吾勤之; 许导进; 王晨; 刘刚; 蔡小五; 韩郑生;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类外存贮器（辅助存贮器）总论;
关键词
单粒子效应; 逻辑状态翻转; 抗辐射加固; 重离子辐照; 静态随机存取存储器;

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