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浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展

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本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论，主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出：总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷，引起浮栅上电荷的变化。

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来源
《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2009年|p.154-159|共6页
会议地点沈阳
作者
刘张李; 张正选; 毕大炜; 张帅; 田浩; 俞文杰; 陈明; 王茹;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类外存贮器（辅助存贮器）总论;
关键词
控制电路; 存储单元; 总剂量辐射效应; 电荷损失; 浮栅存储器;

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