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【2h】

A Floating Gate Memory with U-Shape Recessed Channel for Neuromorphic Computing and MCU Applications

机译：具有U形凹槽的浮栅存储器用于神经形态计算和MCU应用

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We have simulated a U-shape recessed channel floating gate memory by Sentaurus TCAD tools. Since the floating gate (FG) is vertically placed between source (S) and drain (D), and control gate (CG) and HfO2 high-k dielectric extend above source and drain, the integrated density can be well improved, while the erasing and programming speed of the device are respectively decreased to 75 ns and 50 ns. In addition, comprehensive synaptic abilities including long-term potentiation (LTP) and long-term depression (LTD) are demonstrated in our U-shape recessed channel FG memory, highly resembling the biological synapses. These simulation results show that our device has the potential to be well used as embedded memory in neuromorphic computing and MCU (Micro Controller Unit) applications.
机译：我们已经使用Sentaurus TCAD工具模拟了U形凹入沟道浮栅存储器。由于浮置栅极（FG）垂直放置在源极（S）和漏极（D）之间，并且控制栅极（CG）和HfO2高k电介质在源极和漏极上方延伸，因此在擦除时可以很好地提高集成密度器件的编程速度和编程速度分别降至75 ns和50 ns。此外，在我们的U型凹通道FG记忆中还展示了包括长期增强（LTP）和长期抑制（LTD）在内的综合突触能力，与生物学突触高度相似。这些仿真结果表明，我们的设备有潜力很好地用作神经形态计算和MCU（微控制器单元）应用中的嵌入式存储器。

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