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超深亚微米SRAM和Flash存储器的辐射效应

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针对超深亚微米器件航天应用日益增多的情况，以超深亚微米SRAM和Flash存储器为对象，分析了超深亚微米器件的辐射效应规律特点。超深亚微米器件一般具有天然抗总剂量辐射能力，但若接口电路工作也压或编程电压高，则辐射敏感；超深亚微米器件由于特征尺寸减少，单粒子效应敏感，核反应町导致单粒予事件，另外，已有的单粒子预计模型已不完全适用。

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来源
《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2009年|p.78-81|共4页
会议地点沈阳
作者
唐民;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类外存贮器（辅助存贮器）总论;结构;
关键词
深亚微米器件; 辐射效应; 存储器; 抗总剂量辐射能力; 单粒子预计模型; 核反应町;

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