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ZnO纳米线阵列的制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用

摘要

采用低温化学气相沉积法(CVD),以铬为催化剂,在经过450℃~500℃的低温生长1h后,制备了呈现良好阵列排列特性的ZnO纳米线阵列,并以此作为染料敏化太阳能电池光阳极材料。与传统纳米TiO2薄膜作为染料敏化太阳能电池光阳极不同,衬底材料选用掺Al的ZnO透明导电薄膜(AZO),在满足性能要求的同时,使制作成本进一步降低。基于此太阳能电池光阳极结构,得到电池开路电压350mV,短路电路6.8mA/cm2,填充因子为58%,总效率为1.4%。

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