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中国可再生能源学会;
等离子体增强; 化学气相沉积; 掺杂浓度; 薄膜制备;
机译:掺杂浓度对稀氢氟酸中p型硅电流-电压特性的影响
机译:通过Cat-CVD制备的宽光学带隙p型μc-Si:O_x:H及其与p型μc-Si:H的比较
机译:半球形半导体的设计和仿真,以使用不同掺杂浓度的c-Si和a-Si:H材料构造β-伏安电池
机译:对P型C-Si太阳能电池材料特性的敏感性
机译:分析低压p型,新材料n型和双通道有机场效应晶体管的器件特性。
机译:一锅合成生物质C-Si纳米复合材料作为高性能钠离子电池的阳极材料
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响
机译:掺杂浓度对硅上化学气相沉积钨中隧道形成的影响。
机译:利用调制光束确定特性的方法,例如半导体材料样品的掺杂浓度分布
机译:旅客候车亭为保护个人免受天气影响,屋顶由具有发色特性的透明材料制成,并随着外部影响而改变光学特性
机译:P型半导体材料,P型热电元件,热电转换模块,排气装置,制造P型半导体材料的方法以及制造P型热电元件的方法
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