P型衬底a-Si：H/c-Si异质结太阳能电池背面场和界面性质数值模拟研究

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第一章绪论

1.1研究背景及意义

1.1.1能源需求

1.1.2能源生产和利用现状

1.1.3现有能源生产和利用形式的危害

1.1.4太阳能及其利用的前景

1.2太阳能电池的发展历程

1.2.1准备阶段(1939-1973)

1.2.2发展阶段(1973-1996)

1.2.3成熟阶段(1996-)

1.3太阳能电池的分类及研究概况

1.3.1 晶体硅太阳能电池

1.3.2非晶硅薄膜太阳能电池

1.3.3碲化镉(CdTe)太阳能电池

1.3.4铜铟(镓)锡(CIS或CIGS)薄膜太阳能电池

1.3.5非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池

1.4本论文的研究目的和研究计划

第二章太阳能电池的基本理论

2.1太阳电池的工作原理

2.1.1半导体材料与光的相互作用

2.1.2载流子传输

2.1.3复合过程

2.1.4 P-N结

2.1.5光电转换过程

2.2基本方程

2.3太阳能电池的基本参数

2.4影响转换效率的因素

2.4.1光学损失

2.4.2复合损失

2.4.3电阻损失

2.5非晶硅/单晶硅异质结太阳电池基础

2.5.1非晶硅/单晶硅异质结太阳电池简介

2.5.2异质结中载流子传输

2.5.3异质结太阳电池的原理

第三章异质结太阳能电池背面场研究

3.1 引言

3.2电池结构

3.3物理模型

3.4背面场的参数优化

3.5背面场对电池性能的影响机理

3.6本章小结

第四章异质结太阳能电池界面特性研究

4.1 引言

4.2电池结构

4.3物理模型

4.4衬底电阻率为变量时异质结界面态对电池性能的影响机理

4.5本章小结

第五章结论

参考文献

致 谢

攻读硕士学位期间发表的论文