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首页> 中文会议>第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 >CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备

CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备

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中间带太阳电池是充分利用太阳光谱中的红外光子能量的一种高效率新概念太阳电池,其理论极限效率可达63.2％.由于铜基(CuGaSe2)化合物带隙为2.4～2.5eV,且吸收系数大、缺陷容限高,成为了最理想的中间带基质材料.2011年C.Tablero理论上预言,IV族元素部分替代CuGaX2(X=S、Se)中的Ga或Cu,且当掺杂浓度足够高时,可抑制非辐射复合,从而形成中间带.为了证实C.Tablero中间带理论，本实验采用PLD方法，在钠钙玻璃上沉积一定厚度的CuGaSe2:Ge薄膜。研究了CuGaSe2:Ge薄膜的晶体结构与光学带隙，并通过吸收光谱和反射谱研究了该材料的光吸收特性。rn 实验结果表明，CuGa0.94Ge0.06Se2薄膜价带到中间带的光子吸收能量为0.89eV，中间带到导带的光子吸收能量为0.71eV,CuGa0.94Ge0.06Se2的禁带宽度为1.60eV。光吸收谱得以拓宽，在CuGaSe2中掺杂Ⅳ族元素Ge可以形成中间带。

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