CuAlS2∶Ni中间带半导体材料的制备与性能

王能能; 颜长; 钱宇澄; 赵蒙; 姚金雷

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利用金属预制层硫化法制备出黄铜矿结构的CuAl1-xNixS2多晶薄膜。Ni对Al的取代导致晶格膨胀,晶胞体积从x=0的0.294 0 nm3增加到x=0.04~0.10的0.296 55~0.297 10 nm3。CuAlS2∶Ni薄膜的能隙为Eg=3.15~3.32 eV,相对于未掺杂CuAlS2的Eg=3.80 eV,Ni掺杂导致能隙的减小,是由硫离子偏离了未畸变位置所致。不同Ni含量掺杂的样品均形成中间带半导体,杂质中间带出现在距离价带顶1.80~2.53 eV。能带计算表明,深能级杂质带来源于Ni的3d轨道,CuAlS2∶Ni为深能级中间带半导体。

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来源
《苏州科技大学学报：自然科学版》 |2020年第3期|P.38-42|共5页
作者
王能能; 颜长; 钱宇澄; 赵蒙; 姚金雷;
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作者单位

苏州科技大学数理学院江苏苏州215009;

苏州科技大学数理学院江苏苏州215009盐城阿特斯阳光能源科技有限公司江苏盐城224051;

苏州科技大学化学生物与材料工程学院江苏苏州215009;

苏州科技大学数理学院江苏苏州215009;

苏州科技大学数理学院江苏苏州215009;

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正文语种 chi
中图分类凝聚态物理学;
关键词
光伏材料; 半导体化合物; 多晶薄膜; 黄铜矿;

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