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原子层沉积高k介质膜的新进展

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本文介绍原子层沉积(ALD)技术的发展背景、特点和原理,阐述发展高k介质的必要性.通过介绍高k介质的特点及其对沉积工艺的要求,说明ALD技术适合于沉积高k介质的原因.着重介绍国际上采用ALD工艺沉积高k介质所取得的最新进展.最后,指出还有待解决的问题和未来的发展趋势.

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来源
《第八届真空冶金与表面工程学术会议》|2007年|291-298|共8页
会议地点沈阳
作者
叶位彬; 黄光周; 朱建明; 戴晋福;
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作者单位

中国真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类层介质膜;
关键词
原子层沉积; 高k介质; 层介质膜;

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