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杜江锋; 赵金霞; 伍捷; 杨月寒; 靳翀;
国务院学位办;
教育部;
西安电子科技大学学报;
GaN HEMT; 场板; 电场分布; 击穿电压; 解析模型;
机译:具有极化效应的二维完全解析模型,用于基于GaN的场镀高电子迁移率晶体管的截止态沟道电势和电场分布
机译:基于等效电位法的栅接法AlGaN / GaN HEMT的势能和电场分布解析模型
机译:沟道电场分布对AlN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射的影响
机译:源极连接场板对AlGaN / GaN HEMT中电场分布和击穿电压的影响
机译:隧道场效应晶体管的解析模型和GaN高电子迁移率晶体管的实验研究。
机译:电场诱导的表皮生长因子受体在A431细胞上的重新分布和场后松弛
机译:沟道电场分布对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射的影响
机译:GaN器件开发项目基板结构分析和薄膜生长输入的现状
机译:基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
机译:高功率应用的具有内部场-板结构的GAN-HEMT(高电子迁移率晶体管)结构
机译:解析模型创建支持系统,解析模型创建支持设备和解析模型创建支持程序
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