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以濺鍍低熔點Dy-M(M=Cu及Al)合金膜進行晶界擴散提升燒結NdFeB磁石本質矯頑磁力之研究

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本研究探讨了低熔点Dy100-xCux及Dy100-xAlx(x=0-20)合金溅镀膜对不同温度下(Td=800-950℃)进行晶界扩散(GBD)的烧结NdFeB磁石磁性与微观组织之影响.实验结果显示经适当Dy-M合金薄膜GBD后之样品,其磁能积((BH)max)几乎不变,本质矫顽磁力(iHc)于Td=800-900℃明显地提升.就Dy膜晶界扩散后之磁石而雷,每单位wt％之Dy提升iHc量(ΔiRc/wt％Dy)会随着Td上升而有先升后降之趋势,从800℃之7.9 kOe/wt％上升至900℃之11.2 kOe/wt％,后降至950℃之7.2 kOe/wt％.至于Dy-Cu和Dy-A1合金膜GBD后的样品,其ΔiHc/wt％Dy分别从800℃之8.5-9.0 kOe/wt％和9.5-10.4 kOe/wt％上升至850℃之11.8-12.5 kOe/wt％和12.8-13.8 kOe/wt％,而后微降至900℃之10.5-10.9 kOe/wt％和12.3 kOe/wt％.因DyM有较低之熔点,故在相同温度下可扩散至磁石较深处,因此溅镀Dy-M膜进行GBD后之磁石,在较低扩散温度下(Td=800-850℃)有较高ΔiHc/wt％Dy值.在Dy100-xCux及Dy100-xAlx两系列溅镀膜中,成分分别为Dy85Cu15和Dy94Al6进行晶界扩散后展现出最高的ΔiHc/wt％Dy值,分别为12.5 kOe/wt％及13.8 kOe/wt％.本研究揭示了使用低熔点Dy100-xMx(x=0-20;M=Cu及Al)合金膜作为扩散源可有效提升利用Dy提高烧结NdFeB磁石本质矫顽磁力之效益.

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来源
《2017年海峡两岸粉末冶金技术研讨会》|2017年|44-50|共7页
会议地点台湾新竹
作者
石至為; 黃辰軒; 邱軍浩; 張晃暐; 張文成;
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作者单位

中国有色金属学会;

台湾粉体及粉末冶金协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属复层保护;
关键词
钕铁硼磁石; 合金溅镀膜; 晶界扩散; 本质矫顽磁力;

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