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AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究

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采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有c轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好,谐振频率达1.759GHz,机电耦合系数3.75％,品质因数79.5.通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能,明确了结构因素对器件频率特性的影响,分析了其中的机制.

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来源
《第六届中国功能材料及其应用学术会议》|2007年|735-737|共3页
会议地点武汉
作者
胡宽; 顾豪爽; 张凯; 胡光; 吴小鹏; 熊娟;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国物理学会;

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类压电陶瓷材料;
关键词
薄膜腔声谐振器; 氮化铝压电薄膜; 谐振频率; 体硅微细加工; 择优取向;

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