高频声体波延迟线用极薄AlN薄膜制备研究

赵雪梅; 郑泽渔; 蒋世义; 王露

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高频声体波延迟线用极薄AlN薄膜制备研究

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该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜。使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向,并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力。试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好,摇摆曲线半高宽达到3.21°,均方根粗糙度为1.56 nm,应力为-6.22 MPa。利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz,插入损耗为50.7 dB,优于美国Teledyne公司的产品。

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来源
《压电与声光》 |2021年第6期|739-742|共4页
作者
赵雪梅; 郑泽渔; 蒋世义; 王露;
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作者单位

中国电子科技集团公司第二十六研究所;

重庆400060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类声光器件;
关键词
延迟线; 声体波(BAW); 压电薄膜; 换能器;

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