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部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

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实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.

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来源
《第五届粒子物理、核物理和宇宙学交叉学科前沿问题研讨会》|2006年|819-822|共4页
会议地点西宁
作者
俞文杰; 王茹; 张正选; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类粒子物理学;
关键词
绝缘体硅; 总剂量辐射效应; 背沟道; 掩埋氧化层; 数值模型; 载流子复合;

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