0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系

唐威; 刘佑宝; 耿增建; 吴龙胜

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研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因.通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响.模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态.

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来源
《核电子学与探测技术》 |2010年第8期|1031-1036|共6页
作者
唐威; 刘佑宝; 耿增建; 吴龙胜;
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作者单位

西安微电子技术研究所,西安,710054;

西安微电子技术研究所,西安,710054;

西安微电子技术研究所,西安,710054;

西安微电子技术研究所,西安,710054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
SOI; 抗总剂量辐射; 部分耗尽; 俘获电荷; 背沟道反型;

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