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Bi2O3掺杂对SnO2压敏电阻性能的影响

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Bi2O3是ZnO压敏电阻的主要添加物.本文综述了将Bi2O3添加到SnO2压敏电阻的研发情况,特别是在1300℃～1450℃烧结温度下,0～0.5mol% Bi2O3掺杂对SnO2-CoO-Ta2O5压敏电阻性能的影响.研究表明Bi2O3的添加可能导致更高的势垒高度有助于增加SnO2-CoO-Ta2O5压敏电阻的非线性.同时,晶界势垒电压的增加和Bi2O3促进晶粒生长的综合作用使得添加Bi2O3的样品的电位梯度高于未添加Bi2O3的样品.在1400℃～1450℃烧结温度下,SnO2～CoO-Ta2O5系低压压敏电阻,其电位梯度在400～700V/cm左右.

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来源
《中国电子学会敏感技术分会电压敏学部第二十一届学术年会》|2014年|59-61|共3页
会议地点长沙
作者
范积伟; 赵慧君; 张小立;
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作者单位

中国电子学会敏感技术分会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM54:TM506;
关键词
压敏电阻; 二氧化锡; 氧化铋掺杂; 烧结密度; 电位梯度;

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