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任意形状横截面表面开口缺陷的漏磁场——磁粉探伤原理之三十四

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本文由磁荷分水岭概念分析了任意形状横截面表面开口缺陷所产生的漏磁场H,推得:H∞(d-2k-2E),其中d是缺陷的最大深度,k是个比例系数, 是缺陷横截面上磁荷分水岭沿缺陷深度方向的微小偏移,而E是个取决于磁荷分水岭的常数.从而可得出下列结论:1)只有d、E很小时,或d＜＜缺陷长度w时,才近似有:H∞d的关系;2)当d＞＞w时,可粗略估计:H与d无关,而只取决于w;3)无法从缺陷漏磁场的量值和分布反演出表面开口缺陷横截面的形状.

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来源
《2006年全国无损检测学会电磁（涡流）专业委员会年会》|2006年||共4页
会议地点湖北宜昌
作者
仲维畅;
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作者单位

中国机械工程学会;

华中科技大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类无损探伤;
关键词
任意形状; 横截面; 开口缺陷; 漏磁场;

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