首页> 中文会议>2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会 >电源用低压高频功率开关管的新希望-正偏沟槽栅JFET研究

电源用低压高频功率开关管的新希望-正偏沟槽栅JFET研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗,沟槽栅 MOSFET的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的地步.本文用仿真方法首次系统研究了正偏工作的沟槽栅JFET ,结果证明它比MOSFET 具有低得多的高频功率损耗,并且也具有MOSFET 的通态电阻正温度系数从而可防止热奔的优点,为电源用高频低压功率开关管的发展指明了一个新的有希望的方向.

著录项

来源
《2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会》|2006年|p.1-2|共2页
会议地点西安
作者
张娜; 亢宝位; 田波; 韩峰; 吴郁; 胡冬青;
展开▼
作者单位

中国电工技术学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类静电感应场效应晶体管;
关键词
沟槽栅; JFET; 功率损耗; 温度特性; 高频功率开关管;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比 [J] . 韩峰 ,亢宝位 ,吴郁 . 中国集成电路 . 2009,第005期
2. 栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究 [J] . 田波 ,亢宝位 ,吴郁 . 中国集成电路 . 2009,第002期
3. 栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究 [J] . 田波 ,亢宝位 ,吴郁 . 电力电子技术 . 2007,第006期
4. CPU电源电路用沟槽棚MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究 [J] . 韩峰 ,亢宝位 ,吴郁 . 电力电子 . 2006,第001期
5. 基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究 [J] . 沈伟星 ,冉峰 ,程东方 . 微计算机信息 . 2007,第026期
6. 正偏栅控二极管R-G电流方法测量SOIMOS管中应力诱生界面陷阱的实验研究 [C] . 黄爱华 . 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 . 2001
7. 低压分离栅沟槽MOSFET设计 [A] . 李建澄 . 2020

电源用低压高频功率开关管的新希望-正偏沟槽栅JFET研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅