首页> 中文会议>第九届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议 >在MgO和蓝宝石上CeO2缓冲层及T1-2212超导薄膜的制备

在MgO和蓝宝石上CeO2缓冲层及T1-2212超导薄膜的制备

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用射频磁控溅射沉积在(001)MgO和蓝宝石(1102)基片上制备CeO2薄膜.研究了基片温度、溅射气压和溅射功率等条件对的CeO2薄膜质量的影响.在基片温度为700℃,溅射功率为50～120 W,溅射气压为6Pa下可以得到高质量[001]取向的CeO2薄膜.在具有CeO2缓冲层的MgO和蓝宝石基片上制备的Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)超导薄膜为(001)取向,a-b面内结构良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)分别为105.3K和104.2K,临界电流密度Jc(77K,0T)分别为2.37×106 A/cm2和1.76×106 A/cm2,在蓝宝石上超导薄膜的微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为725μΩ.

著录项

来源
《第九届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议》|2006年|5-9|共5页
会议地点成都
作者
谢清连; 方兰; 季鲁; 张畅; 周铁戈; 张旭; 左涛; 何明; 赵新杰; 阎少林;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

电子科技大学;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM262;
关键词
超导薄膜; 蓝宝石基片; 氧化镁基片; 氧化铈缓冲层;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. CeO2缓冲层对蓝宝石基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构和介电性能的影响 [J] . 宋安英 ,宋建民 ,李振娜 . 电子元件与材料 . 2017,第004期
2. 反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO_2缓冲层 [J] . 雷跃刚 ,王霈文 ,李弢 . 稀有金属 . 2007,第6期
3. MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe12O19)薄膜的制备与性能研究 [J] . 丁美凤 ,朱俊 ,王水力 . 功能材料 . 2010,第007期
4. 蓝宝石基片上制备双面Tl_2Ba_2CaCu_2O_8超导薄膜 [J] . 游峰 ,阎少林 ,季鲁 . 低温与超导 . 2010,第001期
5. 在蓝宝石基片上制备高质量的Tl-2212超导薄膜 [J] . 谢清连 ,阎少林 ,方兰 . 稀有金属材料与工程 . 2008,第A04期
6. 在蓝宝石基片上采用CeO2作为缓冲层制备Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜 [C] . 游峰 ,季鲁 ,谢清连 . 第十届超导学术交流会 . 2009
7. 高温超导薄膜的制备条件探索——MgO和蓝宝石衬底上制备T1系高温超导薄膜 [A] . 张畅 . 2007

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号