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闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性

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摘要

利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400 K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同的缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|144-147|共4页
会议地点广西北海
作者
毕京锋; 赵建华; 邓加军; 中国科学院半导体研究所; 郑玉宏; 王玮竹; 李树深;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.054.4;TN304.23;
关键词
半金属; 室温铁磁性; 分子束外延; CrAs薄膜; 闪锌矿结构; 超导量子干涉仪;

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