基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT

苏树兵; 徐安怀; 刘新宇; 齐鸣; 刘训春; 王润梅

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基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT

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报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.

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来源
《半导体学报》 |2006年第6期|1064-1067|共4页
作者
苏树兵; 徐安怀; 刘新宇; 齐鸣; 刘训春; 王润梅;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微波半导体器件;
关键词
MBE; InGaAs基区; 双异质结双极晶体管;

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