化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料

孙殿照; 阎春辉; 国红熙; 朱世荣; 黄运衡; 曾一平; 孔梅影

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在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。

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来源
《微纳电子技术》 |1991年第6期|46-48|共3页
作者
孙殿照; 阎春辉; 国红熙; 朱世荣; 黄运衡; 曾一平; 孔梅影;
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作者单位

中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学开放实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.26;
关键词
化合物半导体; 量子阱; 外延生长;

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