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【2h】

Comparison of epitaxial thin layer GaN and InP passivations on InGaAs/GaAs near-surface quantum wells

机译：InGaAs / GaAs近表面量子阱上外延薄层GaN和InP钝化的比较

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The optical properties of the in situepitaxialGaN and InP passivated InGaAs∕GaAs near-surface quantum wells, which were fabricated by metal organic vapor phase epitaxy, are investigated. Low-temperature photoluminescence(PL), time-resolved photoluminescence, and photoreflectance are used to study the passivation effect. Both GaN and InPpassivations are observed to significantly enhance the PL intensity and carrier lifetime and to reduce the surface electrical fields. Comparison of the methods shows that the epitaxialInPpassivation is more effective. However, epitaxialGaN and nitridation methods are comparable with InPpassivation.
机译：研究了通过金属有机气相外延法制备的氮化镓和InP钝化的InGaAs ∕ GaAs近表面量子阱的光学性质。利用低温光致发光（PL），时间分辨光致发光和光反射率来研究钝化效果。观察到GaN和InP钝化都可以显着提高PL强度和载流子寿命并减少表面电场。方法的比较表明，epiaxialInP钝化是更有效的。但是，外延GaN和氮化方法与InP钝化相当。

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