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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
召开年:
2003
召开地:
牡丹江
出版时间:
2003-08-01
主办单位:
中国有色金属学会
会议文集:
中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议论文集
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1.
GaN基高亮度绿色LED材料蓝带发光特性研究
邵嘉平
;
郭文平
;
胡卉
;
孙长征
;
郝智彪
;
罗毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本实验采用低压金属有机化学气相设备(LP-MOCVD)生长中心波长在505nm~535nm的绿色LED外延样品,通过变温(9K~325K)光致荧光谱对不同外延生长条件和后步工艺处理条件下LED样品的p型层蓝发光特性进行研究.
GaN;
LED;
蓝带;
发光二极管;
多量子阱结构;
发光特性;
2.
氮化镓基蓝光发光二极管瞬态光荧光谱的研究
胡卉
;
郭文平
;
邵嘉平
;
周晓滢
;
韩彦军
;
薛松
;
孙长征
;
罗毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分析.
氮化镓;
发光二极管;
瞬态光荧光谱;
金属有机化学气相淀积;
3.
CdZnSe/ZnSe超薄量子阱及其发光特性
张吉英
;
张振中
;
单崇新
;
冯秋菊
;
申德振
;
刘益春
;
吕有明
;
范希武
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
在本文中,借助于低压MOCVD设备,生长了一系列CdZnSe/ZnSe短周期超薄量子阱,并通过光致发光测试等手段对该结构的光学性质进行了表征.
MOCVD;
CdZnSe/ZnSe;
超薄量子阱;
光学性能;
光致发光谱;
4.
HgCdTe薄膜的MOVPE掺杂生长
宋炳文
;
杨玉林
;
李艳辉
;
李全保
;
姬荣斌
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
碲镉汞(MCT)薄膜是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是目前制作高性能IRFPRs的最好材料.本文重点研究碲镉汞薄膜的金属有机气相外延掺杂生长的工艺条件.
碲镉汞薄膜;
MOVPE;
掺杂生长;
MO源;
5.
Ⅲ/Ⅴ族MO源研究进展与展望
潘毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
MO源的研究和发展一直是MOCVD和CBE技术发展的核心问题之一,随着MOCVD技术的发展和化合物半导体产业步伐的加快,对MO源品质的要求越来越高.本文将围绕发展比较快的Ⅲ/Ⅴ族MO源,就近年来的发展分别进行总结和分析.
MO源;
化学气相沉积;
有机铝源;
有机镓源;
有机铟源;
6.
光纤级四氯化锗研制
赵蕾
;
曹季
;
潘毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
南京大学MO源研发中心通过摸索,采用了化学方法和物理方法相结合的纯化工艺纯化四氯化锗,对含氢杂质主要采用化学方法,针对四氯化锗中OH基因主要以Ge-OH结构存在,采取了配基交换方式,成功降低了OH的含量;对CH杂质采用了自由基氯化反应,取得了比较好的效果;对金属杂质,主要采用新的物理纯化工艺,辅以高效精馏手段实现了对四氯化锗的纯化.通过纯化,得到了高品质的四氯化锗材料.
石英光纤;
四氯化锗;
气相化学淀积;
纯化工艺;
7.
溶液二甲基二茂镁源的研制
李翔
;
陈化冰
;
虞磊
;
潘毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
我们选用有机化合物作为液化试剂,通过配制成溶液,使二甲基二茂镁发生液化或部分液化,从而使镁源在使用过程中实现最大程度的与载气流的接触,形成稳定的蒸汽压.研究表明,有机叔胺类化合物对二甲基二茂镁具有比较好的溶解液化能力,将等量的二甲基二茂镁与N,N-二甲基十二烷基胺混合得到的混合物在室温为液体,其熔点在O℃以下.对液化后的二甲基二茂镁,我们参照MOCVD实际使用条件测定了二甲基二茂镁的输出情况.
二甲基二茂镁源;
金属有机化学气相淀积;
化合物半导体;
8.
6N高纯氨中杂质分析方法研究
张琳
;
郭云龙
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
作者对高纯氨的定量分析方法开展了深入研究.通过查阅国内外文献资料,并根据以往的经验,对多种色谱条件进行了比较分析,从而筛选出最佳的色谱分离柱,载气流速,检测温度等分析条件.
6N高纯氨;
金属有机化学气相沉积;
杂质分析;
色谱定量分析;
9.
高纯氨和高纯三甲基镓规模化生产技术
赵毅
;
王同文
;
郭云龙
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
高纯氨和高纯三甲基镓是金属有机化学气相淀积的关键支撑材料.本文研究高纯氨和高纯三甲基镓的纯化工艺,净化技术以及金属杂质的检测.
高纯氨;
高纯三甲基镓;
纯化;
金属有机化学气相淀积;
金属杂质检测;
10.
连通式双反应室高温MOCVD系统
傅竹西
;
朱俊杰
;
林碧霞
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文研究连通式双反应室高温金属有机化学气相淀积(MOCVD)系统克服半导体薄膜材料在异质外延中的晶格失配和热失配等问题.有利于制备新型结构材料.
半导体薄膜材料;
高温MOCVD系统;
连通式双反应室;
异质外延;
11.
940nm微腔发光二极管(MCLED)
刘英斌
;
赵润
;
杨红伟
;
李学颜
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
采用LP-MOCVD方法制作了940nm微腔发光二级管材料,针对不同的器件使用要求,设计了相应的材料结构,对微腔发光二级管的特性进行了讨论.初步的实验结果为:外量子效率达到12.5﹪(环氧树脂封装),正向电压1.3-1.4V.
微腔发光二极管;
LP-MOCVD;
环氧树脂封装;
外量子效率;
12.
1550nm InGaAsP/InP DC-PBH激光器MOCVD生长
潘彬
;
毛健
;
刘建军
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
采用全MOCVD生长工艺制作的DC-PBH结构的1550nmDFB激光器较过去的LPE工艺有利于降低阈值电流密度,提高激光器效率,本文通过低压MOCVD工艺研制1550nm InGaAsP/InP DC-PBH结构激光器材料.
半导体激光器;
金属有机化学气相淀积;
工艺研制;
MOCVD;
13.
InGaAs材料的光致发光研究
缪国庆
;
金亿鑫
;
蒋红
;
宋航
;
李军
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的In<,0.53>Ga<,0.47>As材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH<,3>与PH<,3>转换时间)对InGaAs的光致发光谱形状和半峰宽的影响,研究了In<,0.35>Ga<,0.47>/InP的变激发强度和变温光致发光谱,从而进一步分析InGaAs外延层的光致发光谱峰值随温度的变化.
InGaAs材料;
三元化合物半导体材料;
金属有机化学气相淀积;
光致发光谱;
生长条件;
14.
自组织量子点系统的变温光谱研究
单崇新
;
范希武
;
张吉英
;
张振中
;
冯秋菊
;
吕有明
;
刘益春
;
申德振
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
在本文中,作者用原子显微镜观测了量子点的形成过程,发现由于质量迁移,在点的周围会出现一个比其它区域更薄的浸润层,加上势垒层后,由于较强的量子限阈效应,这里将出现一个势能最大值.这个由于限制效应,而不是应力导致的势能最大值被认为引起拐点的原因.
自组织量子点系统;
变温光谱;
MOCVD;
原子力显微镜;
15.
应用MOCVD方法以GaAlAs材料制备的一维光子晶体来获得窄光谱
王浩
;
廖长俊
;
范广涵
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
对光在有缺陷的一维光子晶体中的传播进行了研究.并制备了以GaAlAs/AlAs为结构单元的一维光子晶体.由于一维光子晶体的周期性被打破,使得光子晶体的能态密度(DOM)发生改变,导致光的传播发生变化.并用流行的计算方法以及传播矩阵计算模拟了能态密度和光的传播模式.之后用MOCVD方法实现了一维光子晶体结构,这种结构的发光的FWHM为4.1nm,是普通pin结构宽度的1/3——光的能带被剪裁了.
一维光子晶体;
能态密度;
MOCVD;
传播矩阵计算;
光传播;
16.
与Ge衬底完全晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge多结太阳电池
陈文浚
;
肖志斌
;
乔在祥
;
孙强
;
许军
;
章健
;
刘海港
;
马荣凯
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文在GaInP2/GaAs双结电池研究的基础上,开展了Ge衬底上多结太阳电池的研究.实验在E400型MOCVD系统上进行,以n型Ge衬底上的P<'+>/n双结电池做为工作的起点.
多结太阳电池;
Ge衬底;
MOCVD;
器件工艺;
17.
Polymer/Si AWG器件抛光工艺研究
张大明
;
张玉国
;
赵禹
;
王菲
;
崔占臣
;
刘式墉
;
衣茂斌
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文利用甲基丙稀酸甲酯-甲基丙酸缩水甘油酯共聚物研制AWG波分复用器,对器件的抛光工艺进行了研究.器件的端面抛光是AWG在耦合封装时的一个重要步骤,如果解决不好,会严重影响器件的参数.本文通过试验筛选研抛材料及参数,分析抛光工艺存在的问题并进行了较好的解决.
列阵波导光栅;
聚合物薄膜;
波分复用器;
耦合封装;
18.
ZnO/SiC异质结的外延生长
朱俊杰
;
林碧霞
;
傅竹西
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文利用MOCVD高温反应室系统,在Si衬底上先外延6H-SiC薄膜,然后在低温反应室以6H-SiC/Si为衬底,外延高质量的ZnO薄膜,并对薄膜的性质作相应的研究.
氧化锌薄膜;
宽禁带半导体材料;
MOCVD;
外延生长;
异质结;
19.
采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜
张源涛
;
刘大力
;
马艳
;
杨小天
;
赵佰军
;
张景林
;
常遇春
;
李万程
;
杨天鹏
;
刘博阳
;
杨洪军
;
杨树人
;
杜国同
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后ZnO薄膜的E<,2>散射峰强度增加且半宽减小.
ZnO薄膜;
Si衬底;
MOCVD;
退火;
宽禁带半导体材料;
20.
MOCVD法ZnO单晶薄膜生长
刘博阳
;
杜国同
;
杨小天
;
仇登利
;
侯长民
;
李正庭
;
刘大力
;
杨树人
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文采用COCVD法生长出高质量的ZnO单晶薄膜.设备为具有自己知识产权的等离子增强COCVD系统.实验中分别利用硅、R-蓝宝石、C-蓝宝石等作衬底,以二乙基锌(DEZn)、氧气为源,利用氩气作锌源载体,高纯N<,2>作为辅气流,经高密度均匀网由反应室顶端均匀下压,有效抑制由于热效应形成的气流上返效应对生长质量的影响,进行ZnO单晶薄膜生长.
MOCVD;
ZnO薄膜;
外延生长;
等离子体增强;
21.
ZnO在n-Si衬底上的生长
李万程
;
李正庭
;
张源涛
;
杨小天
;
王涛
;
杜国同
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文采用RF磁控溅射法在Si衬底上制备了ZnO薄膜,用n型Si(001)做衬底,制备前用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水对衬底进行超声清洗.用比例为c(H<,2>SO<,4>):c(H<,3>PO<,4>)=3:1的混合溶液加热到160℃,刻蚀10min,然后用去离子水冲洗并用高纯氮气吹干.
ZnO;
RF磁控溅射;
XPS;
Si衬底;
超声清洗;
22.
在Si和Al<,2>O<,3>基片上生长的ZnO薄膜的特性比较
林碧霞
;
朱俊杰
;
傅竹西
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
用Zn(C<,2>H<,5>)和CO<,2>为源,在MOCVD系统中外延ZnO薄膜,基片分别采用Al<,2>O<,3>(样品1)和Si(样品2).对生长后的样品在空气中900℃退火1小时,分别测量了这两种样品退火前后的X射线衍射谱以及PL荧光光谱,PL光谱的及发光源为He-Cd激光器的325nm谱线.
ZnO薄膜;
MOCVD;
Si衬底;
PL光谱;
23.
专为固态源设计之源瓶
廖明智
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
我们设计了一种专为固态源使用的新式源瓶,其中舍弃了传统的导流管,同时加入了特殊的不锈钢筛.我们发现了一个载入100克三甲基铟的固态源瓶可提供超过总数相当于93克的饱和蒸气.我们也针对其它固态源进行实验,例如:二茂镁和四溴化碳,测试结果和三甲基铟相同.
固态源;
源瓶;
导流管;
穿遂效应;
24.
InGaN/GaN MQW紫光LED的光学和电学性质
李忠辉
;
杨志坚
;
于彤军
;
秦志新
;
童玉珍
;
胡晓东
;
章蓓
;
张国义
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
利用LP-MOCVD系统在蓝宝石(α-Al<,2>O<,3>)衬底的(0001)面上外延生长InGaN/GaN MQWLED结构.分别以蓝氨和高纯三甲基铟(TMIn)、三甲基镓(TMGa)为N、In、Ga源SiH<,4>和Cp<,2>Mg分别作为n、p型掺杂剂.
多量子阱光发射二极管;
LP-MOCVD系统;
蓝宝石衬底;
光学性质;
电学性质;
25.
p-GaN的欧姆接触及其评价方法
薛松
;
韩彦军
;
郭文平
;
孙长征
;
郝智彪
;
罗毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本研究通过采用HF溶液处理p型GaN表面.接着运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对处理前后的p-GaN样品表面的化学组分进行了分析.
P-GaN;
欧姆接触特性;
评价标准;
X射线光电子能谱;
化学组分;
26.
InP基应变补偿结构偏振不灵敏SOA的研制
殷景志
;
杜国同
;
杨树人
;
许武
;
宣丽
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
在光通信系统中,使用偏振不灵敏的光放大器,可补偿通信系统中的光损耗.本文研究InP基应变补偿结构偏振不灵敏光放大器(SOA).
光放大器;
应变补偿结构;
多量子阱结构;
InP基;
偏振不灵敏;
27.
GaN材料MOCVD生长条件的模拟研究
郭文平
;
胡卉
;
邵嘉平
;
孙长征
;
郝智彪
;
罗毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.通过计算结果与同样条件下的实验结果比较,发现两者吻合程序非常高,表明化学反应机理和计算方法是基本可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料具体的MOCVD生长工艺.
计算流体力学(CFD);
GaN材料;
MOCVD;
生长工艺;
28.
MOCVD法生长氧化锌薄膜的特性研究
杜国同
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
根据GaN材料及蓝光发光管研制和生产的经验,MOCVD法可能更适合工业化生产和制作光电器件,因此,我们选取MOCVD方法进行ZnO薄膜的制备研究.
MOCVD法;
外延生长;
氧化锌薄膜;
XRD图谱;
29.
改进的MOCVD生长AlGaN固溶体准热力学模型
陆大成
;
段树坤
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文提出了一种改进的准热力学模型.计算结果与Clur等人、Matloubianh等人和Asif Kuhn等人的实验结果吻合.从改进的准热力学模型的计算结果可以看出,在输入TMGa和TMAl摩尔流量不变的情况下,AlGaN的组分不仅与生长温度、V/Ⅲ比、反应室压力、运载气体中N<,2>/H<,2>比等实验参数有关,而且与氨分解率和预反应进度有关.
MOCVD;
金属有机化学气相淀积;
化学热力学;
外延生长;
30.
行星式多层流CVD反应器输运过程的计算机模拟
左然
;
刘祥林
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文报告了利用大型计算软件FLUENT对中科院半导体所新近设计的行星式多层流反应器的输运过程进行的二维数值模拟的初步结果.根据模拟结果,对不同的载气分子和流量、不同的反应器圆盘直径、流道高度和进口锥角、不同的衬底温度和气体压强等参数,如何引起CVD反应器中输运过程的变化,进行了较系统的总结,对于行星式CVD反应器中输运过程与外部物理、几何参数的定性、定量关系,进行了分析和讨论.
化学气相淀积;
行星式多层流反应器;
输运过程;
计算机模拟;
31.
平面型InGaAs/InP PIN光电二极管MOCVD材料生长
潘彬
;
毛健
;
刘建军
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文通过COCVD技术生长了实用化的InGaAs/InP PIN外延材料.利用这些材料研制生产了InGaAs PIN探测器,器件的高性能反映出MOCVD材料具有较高的质量.
光电二极管;
MOCVD;
材料生长;
光通信;
32.
Cl<,2>/Ar和Cl<,2>N<,2>ICP刻蚀对 n-GaN特性的影响
韩彦军
;
薛松
;
郭文平
;
孙长征
;
郝智彪
;
罗毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
在器件的制作过程中,n-GaN的表面状态对n型欧姆接触起决定作用,同进也严重影响着器件的光电性能.而ICP刻蚀过程对n-GaN的表面状态有着重要的影响,必须根据n-GaN的光学和电学特性的变化对ICP刻蚀技术加以优化.
氮化物半导体材料;
发光二极管;
激光二极管;
光电子器件;
干法刻蚀;
ICP;
33.
高质量InGaN LED器件的物理特性
郭文平
;
胡卉
;
邵嘉平
;
韩彦军
;
薛松
;
汪莱
;
孙长征
;
郝智彪
;
罗毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
GaN基蓝绿光发光二极管已经进入了大规模商用化阶段.然而,GaN基发光二级管的发光波长随注入电流而变化仍然是外延片生长遇到的关键技术难题之一.本文通过改进量子阱结构,优化生长条件,生长出的外延片在电流变化120毫安时,其发光波长变化小于0.5纳米.
INGaN;
发光二极管(LED);
波长稳定性;
半高全宽;
GaN材料;
发光二极管;
外延生长;
物理特性;
量子阱结构;
34.
Zn<,1-x>Cd<,x>S合金薄膜的结构和光学性质研究
冯秋菊
;
申德振
;
张吉英
;
单崇新
;
张振中
;
吕有明
;
刘益春
;
范希武
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文采用低压MOCVD技术,以H<,2>S,二甲基镉(DMCd)和二甲基锌(DMZn)为反应源,通过氢气携运,制备了Cd组份分别为0,0.02,0.44,0.59,0.83,0.91以及1的ZnCdS合金薄膜.并对不同Cd含量对Zn<,1-x>Cd<,x>S样品的结构和发光性质进行了研究.
LP-MOCVD;
ZnCdS;
X射线衍射谱;
光致发光;
化合物半导体;
Zn,1-xCd,xS合金薄膜;
MOCVD;
35.
β-二酮基有机源
计燕秋
;
安华
;
裴凯
;
刘永胜
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
碱土金属元素的β-二酮基化合物广泛的应用在金属有机化学气相沉积过程中制备钙钛金属和陶瓷超导体.本文重点探讨β-二酮基有机源及制备方法.
β-二酮基有机源;
金属有机化学气相淀积;
钙钛金属超导体;
陶瓷超导体;
36.
新型高纯铝源研制
孔令宇
;
陈化冰
;
虞磊
;
潘毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
高纯铝源是先进的金属有机化学气相沉积技术外延生长化合物半导体的重要支撑材料之一,本文研究可以替代三甲基铝的有机铝源.
高纯铝源;
金属有机化学气相淀积;
外延生长;
化合物半导体;
光电子器件;
37.
无氧三甲基镓研制
朱春生
;
虞磊
;
徐昕
;
潘毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文研究了一种无氧条件下制备三甲基镓的方法,在有机胺的存在下,碘甲烷直接与镓镁合金作用,得到高质量的三甲基镓.
三甲基镓;
无氧制备;
镓;
配合物;
38.
掺杂用DMZn和DEZn的混合气配制方法研究
张琳
;
计燕秋
;
安华
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
Zn源是用于化合物半导体材料的掺杂剂中的一种,本文研究掺杂用DMZn和DEZn的混合气配制方法.为防止液化必须限定混合气的总压.
化合物半导体;
外延生长;
掺杂剂;
混合气配制方法;
Zn源;
39.
高纯四乙氧基硅中痕量杂质的检测
虞磊
;
孔令宇
;
潘毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
检测高纯四乙氧基硅中痕量杂质元素必须首先配制可以用于检测的水性溶液,四乙氧基硅不溶于水,在空气中慢慢水解,遇酸快速水解生成二氧化硅胶凝物,由于二氧化硅的共沉淀作用,分解产生的二氧化硅胶凝物会将痕量金属杂质包裹在里面,影响杂质检测的可信度,同时大量硅基体的存在对上机测试也会带来严重的基体干扰;我们通过文献调研及大量实验条件摸索,用超纯氢氟酸来分解四乙氧基硅,取得了比较好的结果,既配制出澄清的均相测试溶液,又解决了硅基本的干扰问题,保证了测试结果的真实性.
四乙氧基硅;
痕量杂质检测;
化学气相淀积;
40.
MOCVD技术简述以及一种生长ZnO、ZnS薄膜用的小型MOCVD设备的研制
郑凯
;
马骁宇
;
张迎春
;
安琪
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文对LPE、VPE、MBE、MOCVD技术的特点、局限性进行了一定比较;简要论述了MOCVD的反应动力学原理以及反应过程;讲述了制作一台完备的MOCVD设备所需各组成部件的要求、特点、结构.同时介绍了一种适用于ZnO、ZnS膜生长的小型MOCVD设备的制作原理、机械结构等;此台设备是根据我们自身的工作和实验条件,自行研制组装的.
金属有机化学气相淀积;
反应动力学;
氧化锌膜;
硫化锌薄膜;
MOCVD设备;
41.
用溶胶-凝胶方法制备Tb<'3+>:Y<,2>SiO<,5>发光薄膜
李德辉
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
TB<'3+>:Y<,2>SiO<,5>是一种商业化的绿色阴极射线发光材料.作者选用有机硅试剂γ-缩水甘油丙基醚三甲氧基硅烷来替代正硅酸乙酯(TEOS),利用溶胶-凝胶法制备该薄膜发光材料.
Tb'3+:Y,2SiO,5发光薄膜;
溶胶-凝胶法;
热重分析;
差热分析;
有机硅试剂;
42.
(lll)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
刘瑞东
;
于丽娟
;
芦秀玲
;
张福甲
;
黄永箴
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
(Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制Stark效应和更大的内建压电场引起的非线性效应.
MOCVD;
金属有机化学气相淀积;
多量子阱激光器;
(Ⅲ)A InP衬底;
表面形貌;
光学特性;
43.
失配的GaInP外延层对自组织InP量子点形状的影响
王浩
;
廖常俊
;
范广涵
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
在不同的GaInP外延层上生长了自组织InP量子点,以观察应力对自组织量子点的影响.随着应力的增加,量子点的形状不断变化.通过分析计算表明,量子点通过降低总能量E<,total>来优化形状,结果还发现在某些环境下,高指数的晶面会稳定存在.并对微激光器的谐振腔的设计提供参考.
自组织;
MOCVD;
InP;
微激光器;
谐振腔;
外延生长;
量子点;
44.
应用近场光学技术研究在GaInP外延层上的InP自组装结构
王浩
;
范广涵
;
廖长俊
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
应用MOCVD技术在GaInP外延层上制备了InP自组装结构;并用近场光学成像技术对外延层表面及InP自组装结构进行了研究.
近场光学;
自组装;
MOCVD;
外延层;
量子点激光器;
45.
高势垒掩埋的垂直堆垛InAs量子点的独特性质
李树玮
;
小池一步
;
矢野满明
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
在本文中作者报道的InAs量子点是通过Stranski-Krastanov(S-K)生长方式生长的.生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,利用深能级瞬态光谱(DLTS)和光制发光(PL)对InAs量子点进行了表征.
半导体量子点结构;
异质结构效应晶体管;
InAs量子点;
表面形貌表征;
光致发光谱;
46.
新型聚光太阳能电池组件研究
汪韬
;
赛小锋
;
李晓婷
;
高鸿楷
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文采用三维优化设计对太阳进行一维跟踪的聚光太阳电池组件,提高聚光太阳能电池对入射光线的指向容差.以PMMA为材料,采用边缘光线原理设计和加工完成带有线聚焦菲涅尔聚光棱镜.电池采用自行研制的MOCVD系统生长的GaAs/Ge太阳能电池.并对聚光太阳电池组件的特性进行测试分析.
聚光太阳能电池组件;
入射光线;
指向容差;
MOCVD;
47.
Polymer/Si AWG器件材料光学性质的准确测量
姜文海
;
赵禹
;
王菲
;
崔占臣
;
张大明
;
刘式墉
;
衣茂斌
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文使用WVASE32型椭偏仪,主要针对Si基单层有机薄膜的测量方法进行分析;对PMMA材料和氟化聚酯材料进行测量,根据测量结果对AWG器件进行了设计;同时探讨了对多层有机薄膜及氟化聚合物薄膜的测量方法.
列阵波导光栅;
聚合物薄膜;
光学系数;
多层有机薄膜;
氟化聚合物薄膜;
阵列波导光栅器件;
椭圆偏振测量;
48.
火焰水解法快速生长硅基二氧化硅厚膜波导材料
郑伟
;
吴远大
;
张乐天
;
邢华
;
李爱武
;
钱颖
;
张玉书
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文采用的火焰水解法,其工艺具有成膜速度快,能制作厚膜,设备简单,易于操作等优点.实验中,利用自制的火焰水解法淀积二氧化硅设备,在硅片上快速淀积结构疏松的无定形态二氧化硅厚膜材料,然后将该材料分别在真空中高温致密化处理,获得了膜厚达40微米以上的二氧化硅材料,该材料具有膜厚均匀,光滑透明和玻璃态等优点,并利用XRD和电子显微镜等仪器对二氧化硅膜的表面和膜厚进行了测试分析,获得了光滑透明的玻璃态的二氧化硅厚膜材料.
列阵波导光栅;
波分复用器;
火焰水解法;
硅基二氧化硅厚膜;
49.
ZnO薄膜的新型MOCVD生长及特性研究<'1>
刘大力
;
杜国同
;
王金忠
;
张源涛
;
张景林
;
马艳
;
杨晓天
;
赵佰军
;
杨天鹏
;
刘博阳
;
杨洪军
;
杨树人
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体增强MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,并分析了其特性.
氧化锌薄膜;
MOCVD;
等离子体增强;
蓝宝石衬底;
50.
C-Al<,2>O<,3>衬底上ZnO薄膜的MOCVD法生长
杨小天
;
杜国同
;
刘博阳
;
马艳
;
赵佰军
;
张源涛
;
李万程
;
刘大力
;
李正庭
;
杨树人
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本论文利用MOCVD法在C-AL<,2>O<,3>衬底上生长出具有高阻值、透明的ZnO薄膜.对于薄膜质量,我们利用SIEMENS D08 X射线衍射仪、325nmHe-Cd激光器、原子力显微镜等测试手段对ZnO薄膜质量进行了X射线衍射(XRD)、室温光荧光谱(PL)和薄膜表面分析.
C-Al,2O,3;
MOCVD;
ZnO薄膜;
宽禁带半导体材料;
X射线衍射仪;
51.
O<,2>气流量对LP-MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响
马艳
;
杜国同
;
杨树人
;
李正庭
;
李万成
;
杨天鹏
;
杨洪军
;
张源涛
;
杨小天
;
赵佰军
;
刘博阳
;
刘大力
;
姜秀英
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-Al<,2>O<,3>衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O<,2>气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.
ZnO薄膜;
LP-MOCVD;
PL谱;
金属有机化学气相淀积;
表面形貌;
光致发光谱;
52.
氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响
秦志新
;
陈志忠
;
杨志坚
;
李忠辉
;
于桐军
;
胡晓东
;
张国义
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文研究了在空气和氧气等离子体中的氧化对P-型GaN上的Ni/Au透明电极的影响.发现在500℃时接触电阻随合金温度逐渐降低并趋于饱和.而等离子体气氛下的氧化会升高接触电阻.但在N<,2>中的退火可以消除等离子体氧化的影响.
发光二极管;
GaN基;
氧化;
LED透明电极;
53.
MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱LED的稳定性及其与结构特性的关系
张国义
;
杨志坚
;
童玉珍
;
胡晓东
;
秦志新
;
陈志忠
;
于彤军
;
丁晓民
;
吴明枋
;
姚淑德
;
周生强
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文详细介绍了MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光发射二级管(LED)的发射波长,电流/电压,发光强度,反向漏电等性能的稳定性问题的实验研究.结果表明,这些参数在室温长时间使用下,都会发生不同程度的变化.
多量子阱光发射二极管;
MOCVD;
InGaN/GaN;
发射波长;
发光强度;
54.
适合GaN氮化镓基材料生长的MOCVD设备
焦春美
;
刘祥林
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划("863"计划)的支持下,研制一台适合GaN基材料生长的MOCVD设备(3片1.5英寸衬底),以期建立MOCVD研发及产业化基地,使我国在此领域占有一席之地.本文介绍了该设备的基本设计思想.
氮化镓基材料;
外延生长;
化学气相淀积;
金属有机物;
MOCVD设备;
55.
GaN缓冲层的生长特性及其对外延层质量的影响
张书明
;
陈俊
;
朱建军
;
史永生
;
段俐宏
;
杨辉
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文通过自制的在位监控系统对MOCVD方法生长GaN缓冲层的特性及其对外延层质量的影响进行了深入的研究.实验结果表明,GaN低温缓冲层的生长速率受氨气的流量,生长温度和反应室压力控制,其生长速率随氨气流量的增加而增加,随温度的升高几乎成线性增加,随着反应室压力的增加,生长速率增加.
GaN缓冲层;
MOCVD;
外延层质量;
生长速率;
56.
InGaAlN四元合金的光学性质和微观结构
刘祥林
;
董逊
;
黎大兵
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文系统地研究了InGaAlN在不同温度下的生长规律.用光致光谱(PL)和时间分辨光谱(TRPL)分析了InGaAlN的光学性质.我们发现:在高温GaN过渡层上生长的InGaAlN,呈现零维发光性质;而在低温GaN缓冲层上直接生长的InGaAlN,呈现二维发光性质.这些结果说明,由于合金涨落原因,在InGaAlN中存在类似量子点或量子盘的In聚集.
InGaAlN四元合金;
光学性质;
微观结构;
光致发光谱;
时间分辨光谱;
57.
MOCVD法生长ZnO/GaN/Al<,2>O<,3>多层结构
杨洪军
;
赵佰军
;
杜国同
;
杨小天
;
张源涛
;
候小珂
;
马艳
;
刘博阳
;
方秀军
;
李万成
;
刘大力
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文采用我们自行设计组装具有自主知识产权的等离子体辅助MOCVD系统,以DEZn和O<,2>为生长源,在外延的GaN/Al<,2>O<,3>薄膜上生长出高质量的ZnO薄膜.
ZnO薄膜;
MOCVD;
多层结构;
X光衍射;
光致发光谱;
58.
GaN基HEMT后部制作工艺的优化
唐广
;
郝智彪
;
孙长征
;
罗毅
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本研究首先对比了Al<,x>Ga<,1-x>N与NiAl电极形成欧姆接触的工艺.其次试验在Al<,x>Ga<,1-x>N表面生长了8nm重掺GaN(1×10<'19>/cm<'3>)帽层,使源漏电极可以制作在禁带宽度较小的GaN上,期待进一步降低接触电阻.
GaN;
高电子迁移率晶体管(HEMT);
制作工艺;
宽禁带半导体材料;
59.
大功率白光LED的制备和表征
陈志忠
;
秦志新
;
胡晓东
;
于彤军
;
杨志坚
;
章蓓
;
张国义
;
邱秀敏
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
本文通过综合考虑大尺寸蓝光LED芯片的电流扩展和散热问题,制备出大功率的LED芯片,并用食人鱼结构和YAG:Ce荧光粉封装出大功率的白光LED.通过不同电流下的光功率变化,以及色温、色坐标的变化,讨论了大功率LED的电流扩展,散热等对LED性能的影响.
LED光源;
蓝光LED芯片;
电流扩展;
散热;
白光LED;
60.
高纯GaAs外延材料生长
俞冬雷
;
徐昕
;
孙祥祯
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》
|
2003年
摘要:
材料的纯度直接影响了化合物半导体外延材料的物理性质,进而影响器件的质量.通常情况下,本征材料的常温和低温霍耳迁移率反应了外延层的杂质含量.公司通过生长GaAs单晶外延层,测试其霍耳迁移率,从而反映出外延层中杂质类型和含量,达到考核金属有机物源中杂质质量的目的.
高纯砷化镓;
外延材料生长;
金属有机物气相外延;
霍耳迁移率;
MO源;
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