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MOCVD法生长ZnO/GaN/Al<,2>O<,3>多层结构

摘要

本文采用我们自行设计组装具有自主知识产权的等离子体辅助MOCVD系统,以DEZn和O<,2>为生长源,在外延的GaN/Al<,2>O<,3>薄膜上生长出高质量的ZnO薄膜.

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