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杨洪军; 赵佰军; 杜国同; 杨小天; 张源涛; 候小珂; 马艳; 刘博阳; 方秀军; 李万成; 刘大力;
中国有色金属学会;
ZnO薄膜; MOCVD; 多层结构; X光衍射; 光致发光谱;
机译:大气压MOCVD法在(0001)蓝宝石和GaN /(0001)蓝宝石模板上生长的ZnO薄膜的结构和光学性质的比较
机译:MOCVD法生长Al 0.88 sub> In 0.12 sub> N / AlN / GaN / AlN异质结构中二维电子气的阱参数
机译:LP-MOCVD生长的高质量ZnO / GaN / Al_2O_3异质外延结构
机译:MOCVD法在硅衬底上生长的AlGaN / GaN异质结构上的氧离子辐射
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
机译:用于在蓝宝石上生长GaN的InGaN / AlGaN / GaN多层缓冲液
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