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InGaAs材料的光致发光研究

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本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的In<,0.53>Ga<,0.47>As材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH<,3>与PH<,3>转换时间)对InGaAs的光致发光谱形状和半峰宽的影响,研究了In<,0.35>Ga<,0.47>/InP的变激发强度和变温光致发光谱,从而进一步分析InGaAs外延层的光致发光谱峰值随温度的变化.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|49-51|共3页
会议地点牡丹江
作者
缪国庆; 金亿鑫; 蒋红; 宋航; 李军;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.055;
关键词
InGaAs材料; 三元化合物半导体材料; 金属有机化学气相淀积; 光致发光谱; 生长条件;

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