首页> 中文会议>中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 >Cl<,2>/Ar和Cl<,2>N<,2>ICP刻蚀对 n-GaN特性的影响

Cl<,2>/Ar和Cl<,2>N<,2>ICP刻蚀对 n-GaN特性的影响

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在器件的制作过程中,n-GaN的表面状态对n型欧姆接触起决定作用,同进也严重影响着器件的光电性能.而ICP刻蚀过程对n-GaN的表面状态有着重要的影响,必须根据n-GaN的光学和电学特性的变化对ICP刻蚀技术加以优化.

著录项

来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|87-88|共2页
会议地点牡丹江
作者
韩彦军; 薛松; 郭文平; 孙长征; 郝智彪; 罗毅;
展开▼
作者单位

中国有色金属学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
氮化物半导体材料; 发光二极管; 激光二极管; 光电子器件; 干法刻蚀; ICP;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀对AlGaN的损伤研究 [J] . 陈亮 ,亢勇 ,赵德刚 . 固体电子学研究与进展 . 2008,第3期
2. Cl_2/Ar/BCl_3ICP刻蚀AlGaN的研究 [J] . 陈亮 ,亢勇 ,朱龙源 . 微纳电子技术 . 2007,第7期
3. 利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料 [J] . 吕晓敏 ,邱伟彬 ,王加贤 . 华侨大学学报（自然科学版） . 2013,第002期
4. 4H-SiC在Cl_2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究 [J] . 贾护军 ,杨银堂 ,柴常春 . 真空科学与技术学报 . 2006,第6期
5. Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究 [J] . 宋颖娉 ,郭霞 ,艾伟伟 . 微纳电子技术 . 2006,第3期
6. Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀AlGaN的研究 [C] . 陈亮 ,亢勇 ,朱龙源 . 第十届全国敏感元件与传感器学术会议 . 2007
7. HCl辅助Cl2刻蚀SiC和WC制备碳化物衍生碳的工艺及机理 [A] . 张静 . 2016

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号