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马艳; 杜国同; 杨树人; 李正庭; 李万成; 杨天鹏; 杨洪军; 张源涛; 杨小天; 赵佰军; 刘博阳; 刘大力; 姜秀英;
中国有色金属学会;
ZnO薄膜; LP-MOCVD; PL谱; 金属有机化学气相淀积; 表面形貌; 光致发光谱;
机译:LP-MOCVD法在Si衬底上ZnO薄膜的形核和生长
机译:缓冲液生长温度对LP-MOCVD法生长In_(0.82)Ga_(0.18)As / InP的晶体质量和光学性能的影响
机译:溶胶法在光学性质上生长钬掺杂ZnO薄膜结构性能的影响
机译:Ⅴ/Ⅲ比对LP-MOCVD法在Si(111)衬底上生长的AlN性能的影响
机译:分子束液滴外延生长的纳米孔对二维电子气电学性质的影响。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:LP-MOCVD法生长拉伸应变InGaAs / InP的多量子阱的研究
机译:Lp-mOCVD生长的si衬底上GaInasp-Inp双异质结构激光器
机译:含ZnO薄膜生长的原始材料供应源,生产含ZnO薄膜的装置和方法以及包括ZnO薄膜的发光元件
机译:方法基于流量计MASS的流量测量,数量和热值,没有有关天然气物理性质的数据
机译:ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管的制造方法,ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管
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