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O<,2>气流量对LP-MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响

摘要

本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-Al<,2>O<,3>衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O<,2>气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.

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