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GaN材料MOCVD生长条件的模拟研究

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摘要

本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.通过计算结果与同样条件下的实验结果比较,发现两者吻合程序非常高,表明化学反应机理和计算方法是基本可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料具体的MOCVD生长工艺.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|84-84|共1页
会议地点牡丹江
作者
郭文平; 胡卉; 邵嘉平; 孙长征; 郝智彪; 罗毅;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.055;
关键词
计算流体力学(CFD); GaN材料; MOCVD; 生长工艺;

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