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International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology
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1.
Self Aligned Field-Plate PHEMT for 5.8GHz Operation
机译:
用于5.8GHz操作的自对准现场板PHEMT
作者:
K. Moore
;
M. C. De Baca
;
J. H. Huang
;
O. Hartin
;
H. Stewart
;
S. Shaw
;
C. Gaw
;
T. Arnold
;
M. Miller
;
C. E. Weitzel
;
J. Cotronakis
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2009年
关键词:
GaAs PHEMT;
Field-Plate;
RF Power;
ACPR;
2.
GaN Power Switching Devices for Automotive Applications
机译:
用于汽车应用的GaN电源开关装置
作者:
Tsutomu Uesugi
;
Tetsu Kachi
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2009年
关键词:
GaN;
Power devices;
Vertical structure;
Trench MOSFET;
3.
Processing Methods for Low Ohmic Contact Resistance in AlN/GaN MOSHEMTs
机译:
ALN / GAN MOSHEMTS低欧姆接触电阻的处理方法
作者:
K. Chabak
;
A. Crespo
;
D. Tomich
;
D. Langley
;
V. Miller
;
M. Trejo
;
J. K. Gillespie
;
G. D. Via
;
A. M. Dabiran
;
A. M. Wowchak
;
B. Cui
;
P. P. Chow
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2009年
关键词:
AlN;
HEMT;
MOSHEMT;
ALD;
Ohmic Contacts;
4.
The DARPA Wide Band Gap Semiconductors for RF Applications (WBGS-RF) Program: Phase II Results
机译:
用于RF应用的DARPA宽带隙半导体(WBGS-RF)程序:II期结果
作者:
Mark Rosker
;
Christopher Bozada
;
Harry Dietrich
;
Alfred Hung
;
Dave Via
;
Steve Binari
;
Ed Vivierios
;
Eliot Cohen
;
Justin Hodiak
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2009年
关键词:
GaN;
HEMT;
Power amplifier;
Reliability;
5.
Web-Based Business Intelligence for Semiconductor Manufacturing
机译:
基于网络的半导体制造商业智能
作者:
Leo Sennott
;
Jorge Willemsen
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2009年
6.
Advanced GaAs MMIC Fabrication Process with PIN Diodes for ESD Protection
机译:
高级GAAS MMIC制造工艺,具有用于ESD保护的PIN二极管
作者:
Kaoru Miyakoshi
;
Takehiko Kameyama
;
Koichi Nagata
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2009年
关键词:
GaAs;
MMICs;
ESD;
PIN diodes;
Antenna switches;
Low-noise amplifiers;
7.
SiC Backside Via-hole Process For GaN HEMT MMICs Using High Etch Rate ICP Etching
机译:
使用高蚀刻速率ICP蚀刻GaN HEMT MMICS的SIC背面通孔工艺
作者:
Naoya Okamoto
;
Toshihiro Ohki
;
Satoshi Masuda
;
Masahito Kanamura
;
Yusuke Inoue
;
Kozo Makiyama
;
Kenji Imanishi
;
Hisao Shigematsu
;
Toshihide Kikkawa
;
Kazukiyo Joshin
;
Naoki Hara
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2009年
关键词:
SiC;
Backside via-hole process;
ICP etching;
GaN HEMT;
8.
Development of an I-Line Negative Resist Process for High Resolution Liftoff Applications
机译:
高分辨率提升应用的I-LINE负抗蚀剂的开发
作者:
Suzanne Combe
;
Elda Clarke
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
High Resolution;
Liftoff;
Process Development;
Process Capability;
9.
Pre-photolithographic GaAs Surface Treatment for Improved Photoresist Adhesion During Wet Chemical Etching and Improved Wet Etch Profiles
机译:
预光刻GaAs表面处理,用于改善湿化学蚀刻和改进的湿蚀刻轮廓期间的光致抗蚀剂粘附
作者:
A. J. Grine
;
J. B. Clevenger
;
M. J. Martinez
;
F. H. Austin
;
P. S. Vigil
;
K. L. Romero
;
R. Timon
;
G. A. Patrizi
;
C. T. Sullivan
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Photoresist adhesion;
Gallium arsenide;
Wet etch;
Surface treatment;
Profile;
10.
Elimination of Yield Loss Due to Rogue Polyimide Vias
机译:
消除歹徒聚酰亚胺通孔的屈服损失
作者:
David Crawford
;
Yelda Recsei
;
Manjeet Singh
;
Dragana Barone
;
Samuel Mony
;
Shiban Tiku
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
PLASMA ETCH;
POLYIMIDE;
RESIST FLOW;
VIA;
YIELD LOSS;
11.
N-polar GaN-based highly scaled self-aligned MIS-HEMTs with state-of-the-art f_T·L_G product of 16.8 GHz-μm for mixed signal applications
机译:
基于N极GaN的高度缩放自对准MIS-HEMT,用于混合信号应用的16.8GHz-μm的最先进的F_T·L_G产品
作者:
Nidhi
;
Sansaptak Dasgupta
;
David F. Brown
;
Stacia Keller
;
James S. Speck
;
Umesh K. Mishra
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
N-polar GaN;
Self-aligned HEMTs;
GaN MIS-HEMTs;
Rf performance;
12.
The Development of 0.5-μm High Linearity and Good Thermal Stability AlGaAs/GaAs HFET for Wireless Infrastructure
机译:
用于无线基础设施的0.5μm高线性度和良好的热稳定性Algaas / GaAs HFET的开发
作者:
Cheng-Kuo Lin
;
Shu-Hsiao Tsai
;
Chao-Hong Chen
;
Ru-Yong Chen
;
Jen-Hao Huang
;
Yu-Chi Wang
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
GaAs;
HFET;
Linearity and Thermal Stability;
13.
Challenges of Transferring a TaN Reactive Sputter Deposition Process from a Batch Tool to a Single Wafer Tool during a 4' to 6' Wafer Conversion
机译:
在4“至6”晶片转换期间将TaN反应溅射沉积工艺从批量工具转移到单个晶片工具的挑战
作者:
Erika Schutte
;
Heather Knoedler
;
Ernesto Ambrocio
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
TaN;
Reactive sputter deposition;
Process transfer;
14.
Title: The Use of Optical Emission Spectroscopy to Solve Manufacturing Scaling Issues
机译:
标题:使用光发射光谱来解决制造缩放问题
作者:
A. J. Stoltz
;
J. D. Benson
;
P. J. Smith
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
ICP;
OES;
Hydrogen;
Photovoltaic;
HgCdTe;
15.
Degradation of pHEMT performance in BiHEMTs caused by thermal history during HBT growth and suggestions for improvement
机译:
在HBT成长期间热史引起的Bihemts PhEMT性能的降解及改进建议
作者:
Junichiro Takeda
;
Ryota Isono
;
Shinjiro Fujio
;
Hiroyuki Kamogawa
;
Masae Sahara
;
Takeshi Meguro
;
Yohei Otoki
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
PHEMT;
MOVPE;
BiHEMT;
Electron mobility;
Diffusion;
Uniform doping;
16.
The Use of Optical Emission Interferometry for Controlled Etching of III V materials
机译:
使用光发射干涉测量法控制III V材料的控制蚀刻
作者:
D. Johnson
;
D. Geerpuram
;
C. Johnson
;
L. Martinez
;
J. Plumhoff
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Plasma Etching;
Optical Emission;
Interferometry;
Endpoint;
17.
Yield and Efficiency Improvements Using Multi-Field Hall Measurement for High Volume pHEMT Production
机译:
利用多场霍尔测量对大容量PHEMT生产的产量和效率改进
作者:
Robert Yanka
;
Likang Li
;
Andrew Shelton
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
MBE;
PHEMT;
Hall measurement;
Characterization;
18.
Selected technological improvements of SiC power devices in order to achieve high performance combined with outstanding ruggedness
机译:
选择的SIC电源装置的技术改进,以实现高性能结合出色的坚固性
作者:
Peter Friedrichs
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
SiC;
VJFET;
SBD;
Packaging;
EMI;
19.
Optimization of AlGaN/GaN HEMT Ohmic Contacts for Improved Surface Morphology with Low Contact Resistance
机译:
AlGaN / GaN HEMT欧姆触点优化,具有低接触电阻的改进表面形态
作者:
H. P. Xin
;
S. Poust
;
W. Sutton
;
D. Li
;
D. Lam
;
I. Smorchkova
;
R. Sandhu
;
B. Heying
;
J. Uyeda
;
M. Barsky
;
M. Wojtowicz
;
R. Lai
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
GaN HEMT;
Ohmic metal contact;
Contact resistance;
Surface morphology;
20.
High efficiency and low leakage AlGaN/GaN HEMTs for a robust, reproducible and reliable X-band MMIC space technology
机译:
高效率和低泄漏ALGAN / GAN HEMTS,用于坚固,可重复和可靠的X波段MMIC空间技术
作者:
P. Waltereit
;
W. Bronner
;
R. Kiefer
;
R. Quay
;
J. Kuhn
;
F. van Raay
;
M. Dammann
;
S. Muller
;
C. Libal
;
T. Meier
;
M. Mikulla
;
O. Ambacher
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
GaN;
HEMT;
MMIC;
Reliability;
Space;
21.
Stable and reproducible AlGaN/GaN-HFET processing highly tolerant for epitaxial quality variations
机译:
用于外延质量变化的稳定和可重复的AlGaN / GaN-HFET加工高度耐受性
作者:
P. Kurpas
;
I. Selvanathan
;
M. Schulz
;
H. Sahin
;
P. Ivo
;
M. Matalla
;
J. Splettstoesser
;
A. Barnes
;
J. Wurfl
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
AlGaN/GaN HFET;
HEMT;
Processing reproducibility issues;
Gate technology;
Benchmarking epitaxy;
22.
Improvement in Yield and Assurance in Power Performance for Quarter-Micron Optical Gate 8V Power pHEMT Technology
机译:
四分之一微米光学闸门8V功率PHEMT技术的功率性能的产量和保证的提高
作者:
Cheng-Guan Yuan
;
S. M. Joseph Liu
;
Clement Huang
;
Jiro Ho
;
Frank Chen
;
Chien-Liang Chan
;
Jung-Tao Chung
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
23.
Market Technology of RF Modules: Focusing on Front end Modules For Cellular Terminals
机译:
RF模块的市场和技术:专注于蜂窝终端的前端模块
作者:
Yoshiyasu Andoh
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
RF Module;
Front end Module;
Antenna Switch;
Power Amplifier;
Cellular Terminal;
Market Trend;
24.
Automation for Better Fab Efficiency
机译:
用于更好的Fab效率的自动化
作者:
Nirav Thakkar
;
Doug Beasley
;
Alma Lopez
;
Glenn Hafer
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
CIM;
Factory Automation;
Recipe Download;
SECS;
GEM;
Barcode;
25.
High Volume Test Methodology for HBT Device Ruggedness Characterization
机译:
HBT器件坚固性表征的大容量试验方法
作者:
Cristian Cismaru
;
Hal Banbrook
;
Peter J. Zampardi
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
BVceo;
Snap-back;
HBT;
High-volume test;
Ruggedness;
26.
GaN on Si Based Power Devices: An Opportunity to Significantly Impact Global Energy Consumption
机译:
基于SI的电力设备GAN:有机会显着影响全球能源消耗
作者:
Michael A. Briere
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
GaN on Si HEMT;
ENERGY EFFICIENCY;
COMMERCIALIZATION;
27.
GaN-on-Si for Power Conversion
机译:
用于电源转换的Gan-On-Si
作者:
M. Germain
;
J. Derluyn
;
M. Van Hove
;
F. Medjdoub
;
J. Das
;
D. Marcon
;
S. Degroote
;
K. Cheng
;
M. Leys
;
D. Visalli
;
P. Srivastava
;
K. Geens
;
J. Viaene
;
B. Sijmus
;
S. Decoutere
;
G. Borghs
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
III-Nitrides;
GaN;
Power devices;
GaN-on-Si;
28.
Market Trends for Compound Semiconductor Enabled Devices, 2010 Update
机译:
复合半导体启用设备的市场趋势,2010年更新
作者:
Bruce A. Bernhardt
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Smartphones;
Barcodes;
Evolved EDGE;
GPS;
Web services;
SOAP;
29.
Ultra-low ohmic contacts to N-polar GaN HEMTs by In(Ga)N based source-drain regrowth by Plasma MBE
机译:
通过基于(GA)N基于(Ga)n的源极 - 排水再生的超低欧姆触点到N-极性GaN Hemts
作者:
Sansaptak Dasgupta
;
Nidhi
;
D. F. Brown
;
T. E. Mates
;
S. Keller
;
J. S. Speck
;
U. K. Mishra
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
N-polar GaN;
HEMT;
Ohmic contacts;
30.
Backside Process Considerations for Fabricating Millimeter-Wave GaN HEMT MMICs
机译:
毫米波GaN Hemt MMICS制造的背面工艺考虑
作者:
Naoya Okamoto
;
Toshihiro Ohki
;
Kozo Makiyama
;
Atsushi Yamada
;
Satoshi Masuda
;
Masahito Kanamura
;
Yoichi Kamada
;
Kenji Imanishi
;
Hisao Shigematsu
;
Toshihide Kikkawa
;
Kazukiyo Joshin
;
Naoki Hara
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Backside process;
Via-hole;
GaN HEMT;
Millimeter-wave;
MMIC;
31.
Quilt Packaging: A robust coplanar chip-to-chip interconnect offering very high bandwidth
机译:
被子包装:强大的共面芯片芯片互连,提供非常高的带宽
作者:
David Kopp
;
M. Ashraf Khan
;
Scott Garvey
;
Kristen Anderson
;
Jason Kulick
;
Alfred Kriman
;
Gary H. Bernstein
;
Patrick J. Fay
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
GaAs;
Si;
Interconnect;
Bandwidth;
32.
A Study on the Base Recombination Current in Direct-Growth npn GaN/InGaN DHBTs
机译:
直接生长NPN / INGAN DHBTS的基础重组电流研究
作者:
Yi-Che Lee
;
Hee-Jin Kim
;
Yun Zhang
;
Suk Choi
;
Russell D. Dupuis
;
Jae-Hyun Ryou
;
Shyh-Chiang Shen
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
InGaN;
GaN;
HBT;
Recombination;
Direct-growth;
33.
Sub half micron structures with profile control on compound semiconductor substrates based on conventional i-line lithography
机译:
基于常规I线光刻的化合物半导体基板上具有轮廓控制的副半微米结构
作者:
Dominik Schrade-Kohn
;
Philipp Leber
;
Reza Behtash
;
Herve Blanck
;
Hermann Schumacher
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Lithography;
Resolution enhancement;
I-line;
Slant gate;
Resist profile;
Compound semiconductor;
34.
Green Semiconductor Manufacturing - Potential New Routes Using Aqueous Solution Chemistry
机译:
绿色半导体制造 - 使用水溶液化学的潜在新途径
作者:
David C. Johnson
;
Darren W. Johnson
;
John F. Wager
;
Douglas Keszler
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Green manufacturing;
Photoresist;
Dielectric films;
35.
A Foundry-Ready Ultra High f_T InP/InGaAs DHBT Technology
机译:
铸造就绪超高F_T INP / INGAAS DHBT技术
作者:
Yuefei Yang
;
Dave Rasbot
;
Chung-Hsu Chen
;
Bryan Lee
;
Wing Yau
;
Daniel Hou
;
Dave Wang
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
InP DHBTs;
High f_T HBTs;
HBT Reliability;
36.
Evaluating pHEMT Process Improvements Using Wafer Level RF Tests
机译:
使用晶圆级RF测试评估PHEMT过程改进
作者:
James Oerth
;
Stephen Cousineau
;
Sushila Singh
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
RF test;
PHEMT;
Process improvement;
Harmonics;
IMD;
37.
Skyworks Solutions Six Inch GaAs Conversion
机译:
Skyworks解决方案六英寸GaAs转换
作者:
Glenn Hafer
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Conversion;
HBT;
Project Management;
38.
N-Face GaN-Based Microwave Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
机译:
基于N面GaN的微波金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率通过等离子体辅助分子束外延
作者:
Man Hoi Wong
;
Yi Pei
;
David Brown
;
James S. Speck
;
Umesh K. Mishra
;
Michael L. Schuette
;
Hyeongnam Kim
;
Venkatesh Balasubramanian
;
Wu Lu
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
GaN;
N-face;
AlN;
Molecular beam epitaxy (MBE);
High electron mobility transistor (HEMT);
Microwave power;
39.
High Breakdown Voltage AlGaN/GaN HEMTs Employing Recessed Gate Edge Structure
机译:
采用嵌入式栅极边缘结构的高击穿电压AlGaN / GaN Hemts
作者:
Minki Kim
;
Young-Hwan Choi
;
Jiyong Lim
;
Young-Shil Kim
;
Ogyun Seok
;
Min-Koo Han
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
High Breakdown voltage;
Recessed gate edge structure;
AlGaN/GaN HEMT;
40.
Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs Fabricated by Standard Fluorine Ion Implantation
机译:
通过标准氟离子注入制造的增强型AlGaN / GaN Hemts
作者:
Hongwei Chen
;
Maojun Wang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Enhancement-mode;
AlGaN/GaN HEMTs;
Standard fluorine ion implantation;
41.
High Performance InAlN/GaN HEMTs on SiC Substrate
机译:
SiC衬底上的高性能Inaln / GaN Hemts
作者:
Han Wang
;
Jinwook W. Chung
;
Xiang Gao
;
Shiping Guo
;
Tomas Palacios
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Compound Semiconductor;
InAlN/GaN;
High Electron Mobility Transistors (HEMT);
42.
Compound Semiconductor Based Tunnel Transistor Logic
机译:
复合半导体基隧道晶体管逻辑
作者:
Suman Datta
;
S. Mookerjea
;
D. Mohata
;
L. Liu
;
V. Saripalli
;
V. Narayanan
;
T. Mayer
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Tunnel FET;
InGaAs;
Logic;
SRAM;
43.
Enhancement-mode Pseudomorphic In_(0.22)Ga_(0.78)As-channel MOSFETs with InAlP Native Oxide Gate Dielectric
机译:
增强模式假形in_(0.22)GA_(0.78)具有INALP天然氧化物栅极电介质的沟道MOSFET
作者:
Xiu Xing
;
Patrick Fay
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Enhancement mode;
InGaAs-channel MOSFET;
InAlP oxide;
RF applications;
44.
Debris Reduction in GaAs Wafer Dicing Process
机译:
GaAs晶片切割过程的碎片减少
作者:
Kuan-Hsuan Ho
;
Shih-Ming Lin
;
Huang-Wen Wang
;
Kevin Huang
;
Ping-Wei Chen
;
Chang-Hwang Hua
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Debris;
Cutting fluid;
Plasma;
45.
Flip-Chip Assembled 7 GHz Ultra-Low Phase-Noise InGaP HBT Oscillator
机译:
倒装芯片组装7 GHz超低相位噪声INGAP HBT振荡器
作者:
Li-Han Hsu
;
Dan Kuylenstierna
;
Herbert Zirath
;
Edward Yi Chang
;
Chin-Te Wang
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Flip-chip;
Interconnection;
MMIC;
Oscillator;
Phase noise;
Microwave;
46.
Low RF power SiC Substrate Via Etch
机译:
通过蚀刻低RF功率SiC衬底
作者:
Ju-Ai Ruan
;
Sam Roadman
;
Wade Skelton
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
SiC via etch;
Pillars;
47.
TaN Resistor Reliability Studies
机译:
TAN电阻可靠性研究
作者:
Gergana I. Drandova
;
Kenneth D. Decker
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Tantalum nitride;
TaN;
Thin-film resistors;
Reliability;
Electromigration;
48.
Effective Manufacturing Utilizing Mass Metrology
机译:
利用大众计量的有效制造
作者:
Mark Berry
;
Liam Cunnane
;
Adrian Kiermasz
;
Michael T. McClure
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Mass Metrology;
Density;
BAW Resonator;
Yield;
Process Control;
49.
Cavity structure GaAs FETs with high humidity resistance
机译:
具有高湿度抗性的腔结构GaAs FET
作者:
Yasuki Aihara
;
Toshiaki Kitano
;
Kazuyo Endo
;
Kenji Hosogi
;
Hiroshi Fukumoto
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Cavity;
Humidity resistance;
HAST;
SAM;
50.
Low Distortion Tunable RF Components, a Compound Semiconductor Opportunity
机译:
低失真可调射频元件,化合物半导体机会
作者:
Cong Huang
;
Koen Buisman
;
Peter J. Zampardi
;
Lis K. Nanver
;
Lawrence E. Larson
;
Leo C. N. de Vreede
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
关键词:
Compound semiconductor;
Low distortion;
Q factor;
Tunable circuits and devices;
Varactors;
51.
Data Analysis for Yield Improvement using TIBCO's Spotfire Data Analysis Software
机译:
使用Tibco的Spotfire数据分析软件进行数据分析
作者:
Andrew Choo
;
Thorsten Saeger
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2010年
52.
Perspectives, Opportunities and Future of Compound Semiconductor Technologies in India
机译:
印度复合半导体技术的观点,机会和未来
作者:
Dhrubes Biswas
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Mobile markets;
Solar photovoltaic;
LEDs;
Secondary device markets;
53.
In-Situ Measurement of GaN Surface Temperature, Effects of Changes in Carrier Gas and Satellite Rotation Speed on Temperature Profiles
机译:
原位测量GaN表面温度,载气变化和卫星旋转速度对温度型材的影响
作者:
K. Haberland
;
B. Henninger
;
D. Brien
;
H. Silva
;
M. Dauelsberg
;
F. Brunner
;
V. Hoffmann
;
M. Weyers
;
R. Sarcia
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
GaN;
LED;
MOCVD;
MOVPE;
In-situ monitoring;
Wafer temperature;
54.
Will GaN-on-Si Displace Si and SiC in Power Electronics?
机译:
甘甘型是否会在电力电子设备中取代SI和SIC?
作者:
Philippe Roussel
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Gallium Nitride;
Power Electronics;
Silicon Carbide;
55.
Advances in SiC Substrates for Power and Energy Applications
机译:
用于电力和能源应用的SIC基板的进步
作者:
M. J. Loboda
;
G. Chung
;
E. Carlson
;
R. Drachev
;
D. Hansen
;
E. Sanchez
;
J. Wan
;
J. Zhang
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Silicon carbide;
Crystals;
Epitaxy;
Defects;
Diodes;
56.
3G/4G Requirements for Wireless Systems and the Role of GaAs and GaN
机译:
3G / 4G对无线系统的要求以及GaAs和GaN的作用
作者:
Otto Berger
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
GaN;
GaAs;
HBT;
PHEMT;
Acoustic filter;
Smartphone;
3G/4G;
TriQuint;
57.
The Best Material for the Function: Seamless On-Wafer Integration of GaN and Si Devices
机译:
功能的最佳材料:GaN和SI设备的无缝晶圆集成
作者:
Hyung-Seok Lee
;
Kevin Ryu
;
Jinwook Chung
;
Tomas Palacios
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
GaN HEMTs;
Si MOSFET;
Heterogeneous integration;
CMOS;
58.
Role of Buffer Layers of High Power GaAs MESFETs for Higher Output Power
机译:
高功率GaAs Mesfet的缓冲层的作用,用于更高的输出功率
作者:
Junichiro Takeda
;
Yohei Otoki
;
Tadayoshi Tsuchiya
;
Takeshi Meguro
;
Yukio Sasaki
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
GaAs;
MESFET;
PA;
High output power;
Buffer;
59.
Development of a Manufacturing Process for Large Diameter Semi-Insulating Silicon Carbide Substrates
机译:
大直径半绝缘碳化硅基材的制造工艺的开发
作者:
J. D. Blevins
;
A. K. Gupta
;
I. Zwieback
;
E. Emorhokpor
;
A. Souzis
;
T. Anderson
;
C. Awisato
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Sublimation growth;
Semi-insulating;
6H;
SiC;
GaN HEMT;
60.
Introduction to the PETEC Printed Electronics Centre and Technology Challenges
机译:
Petec印刷电子中心和技术挑战介绍
作者:
Mike Clausen
;
Bela Green
;
Martin Walkinshaw
;
Simon Ogier
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Flexible;
Printed;
Organic semiconductor;
Solid state lighting;
Photovoltaic;
61.
The Use of a Structured Approach to Solve Yield Limiting Defects in a Compound Semiconductor Factory
机译:
使用结构化方法来解决复合半导体工厂的产量限制缺陷
作者:
Jan Campbell
;
Qizhi He
;
Howie Yang
;
Martin Ivie
;
John Gibbon
;
Darrel Lupo
;
Dario Nappa
;
Jerry Beene
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
World Class Manufacturing;
62.
The Study of Heterojunction Bipolar Transistors for High Ruggedness Performance
机译:
杂交双极晶体管的研究高坚固性性能研究
作者:
Szu-Ju Li
;
Cheng-Kuo Lin
;
Shu-Hsiao Tsai
;
Bing-San Hong
;
Dennis William
;
Yu-Chi Wang
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Safe Operating Area (SOA);
Ruggedness;
Thermal Coupling Effects;
63.
Advanced Semiconductor on Insulator Substrates for Low Power and High Performance Digital CMOS Applications
机译:
用于低功耗和高性能数字CMOS应用的绝缘子基板上的先进半导体
作者:
Bich-Yen Nguyen
;
Mariam Sadaka
;
Nicolas Daval
;
Walter Schwarzenbach
;
Cecile Aulnette
;
Konstantin Bourdelle
;
Fabrice Letertre
;
Christophe Maleville
;
Carlos Mazure
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
64.
Optimization and Characterization of a Photo Definable BCB for HV3S and HVHBT Technologies
机译:
用于HV3S和HVHBT技术的照片可定义BCB的优化与表征
作者:
Jerry Brown
;
Amy Zhou
;
Jan Campbell
;
Andrew Ketterson
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
BCB;
Wrinkled BCB and bubbles in BCB;
65.
TCAD Modeling and Simulation of a Field Plated GaN MOSFET for High Voltage Applications
机译:
高压应用领域电镀GaN MOSFET的TCAD建模与仿真
作者:
K. Bothe
;
M. Johnson
;
D. Barlage
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
GaN MOSFET;
High Breakdown Voltage;
Power MOSFETS;
66.
Evaluation of Existing GaAs MIM-Capacitor Processes for Use with High-Voltage GaN MMIC Technologies
机译:
用于高压GaN MMIC技术的现有GaAs MIM电容器工艺的评估
作者:
Philipp Leber
;
Marc Hollmer
;
Dominik Schrade-Kohn
;
James Thorpe
;
Reza Behtash
;
Herve Blanck
;
Hermann Schumacher
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
GaN;
MIM;
Silicon Nitride;
Lifetime Estimation;
67.
Growth of GaN, AlGaN and AlN Layers for LED Manufacturing: Investigations on Growth Conditions using a 'Hotwall' MOCVD System
机译:
GaN,AlGaN和ALN层的生长为LED制造:使用“HOTWALL”MOCVD系统对生长条件的调查
作者:
R. Schreiner
;
D. Fahle
;
B. Schineller
;
D. Brien
;
H. Kalisch
;
M. Heuken
;
A. Vescan
;
G. Strauch
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
MOCVD;
Hot Ceiling;
Hotwall Reactor;
Vertical Temperature Profile;
68.
Commercial GaN Devices For Switching and Low Noise Applications
机译:
用于交换和低噪声应用的商业GAN设备
作者:
Raymond Pengelly
;
Scott Sheppard
;
Thomas Smith
;
Bill Pribble
;
Simon Wood
;
Carl Platis
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Wide Bandgap;
Gallium nitride;
Switch;
Low-noise amplifier;
Noise model;
MMIC;
69.
Process Control Improvements for Critical PECVD SiN_x Thin Films
机译:
临界PECVD SIN_X薄膜的过程控制改进
作者:
F. Monzon
;
F. Li
;
D. Wolfe
;
T. Dang
;
M. Chen
;
D. Hou
;
Y. Yang
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
SPC;
PECVD;
SiN_x;
Silicon Nitride;
MIM;
Capacitor;
70.
Plating Showerhead System for Improved Backside Wafer Plating
机译:
用于改进的背面晶片电镀的电镀淋浴头系统
作者:
Jens Riege
;
Heather Knoedler
;
Shiban Tiku
;
Nercy Ebrahimi
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Plating Showerhead;
Boundary Layer Reduction;
Through-Wafer Via;
71.
A New Method for Creating Sloped Resist Profiles Using Mask Structures
机译:
使用掩模结构创建倾斜抗蚀剂配置文件的新方法
作者:
Jens Riege
;
Samuel Mony
;
Nercy Ebrahimi
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Sloped Resist Profile;
Wall Angle Bossung Curve;
72.
Modular Solid State Technologies for a Multi-functional System Integration
机译:
用于多功能系统集成的模块化固态技术
作者:
Karlheinz Bock
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Hetero-system integration;
CMOS;
MEMS;
Multifunctional systems;
Modular solid state technology (MSST);
Multi-functional on-top technologies (MOTT);
Polytronic;
73.
Optimized PECVD Chamber Clean for Improved Film Deposition Capability
机译:
优化的PECVD室清洁,以改善薄膜沉积能力
作者:
Ronald R. Hess
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
PECVD;
Silicon Nitride;
SF_6 Chamber Clean;
74.
Managing Process Diversity for Opto Wafer Fabrication in a Photonics Foundry
机译:
管理光子铸造中光晶圆制造的过程多样性
作者:
Sam Wang
;
F. Monzon
;
P. Chen
;
J. Chen
;
D. Kumar
;
P. Lao
;
J. Pepper
;
P. Tran
;
M. Chen
;
D. Hou
;
D. Wang
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
Photonics Foundry;
Optoelectronics;
Opto wafer fab;
Laser;
Detector;
75.
Highly Resistive Substrate CMOS on SOI for Wireless Front-End Switch Applications
机译:
用于无线前端开关应用的SOI上具有高电阻衬底CMOS
作者:
Randy Wolf
;
Dawn Wang
;
Alvin Joseph
;
Alan Botula
;
Peter Rabbeni
;
David Harame
;
Jim Dunn
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
76.
Which are the Future GaN Power Devices for Automotive Applications, Lateral Structures or Vertical Structures?
机译:
这是用于汽车应用,侧面结构或垂直结构的未来GAN电源装置?
作者:
Tsutomu Uesugi
;
Tetsu Kachi
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2011年
关键词:
GaN;
Power devices;
Automotive applications;
Lateral structure;
Vertical structure;
77.
A Method for Yield and Scaling Characterization of FET Structures in an InGaP/GaAs Merged HBT-FET (BiFET) Technology
机译:
INGAP / GAAs合并HBT-FET(双向)技术中FET结构的产量和缩放表征的方法
作者:
Andre G. Metzger
;
Jiang Li
;
Jiro Yota
;
Mike Sun
;
Ravi Ramanathan
;
Cristian Cismaru
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
GaAs;
InGaP;
HBT;
MESFET;
BiFET;
Depletion Mode;
78.
GaN on Diamond: Pushing the Boundary of Conventional MMIC Design and Fabrication
机译:
钻石上的甘甘石:推动常规MMIC设计和制造的边界
作者:
M. Tyhach
;
D. Altman
;
V. Kaper
;
J. Sanctuary
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
GaN;
Diamond;
ICECool;
79.
Compatibility of AlN/SiN_x Passivation Technique with High-Temperature Process
机译:
ALN / SIN_X钝化技术与高温过程的兼容性
作者:
Mengyuan Hua
;
Yunyou Lu
;
Shenghou Liu
;
Cheng Liu
;
Kai Fu
;
Yong Cai
;
Baoshun Zhang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
MIS-HEMT;
Aluminum nitride;
Silicon nitride;
Passivation;
80.
LTE Guides the Path to the 5G Revolution
机译:
LTE指导5G革命的路径
作者:
Chris Pearson
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
5G;
LTE;
LTE-Advanced;
81.
Effect of Surface Passivation on Current Collapse of Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
机译:
表面钝化对质子辐照的抗旱性AlGaN / GaN Hemts电流塌陷的影响
作者:
Andrew D. Koehler
;
Travis J. Anderson
;
Marko J. Tadjer
;
Bradley D. Weaver
;
Jordan D. Greenlee
;
David I. Shahin
;
Karl D. Hobart
;
Francis J. Kub
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
GaN HEMT;
Radiation;
Current collapse;
Dynamic ON-resistance;
Passivation;
82.
Epitaxial Lift-off and Transfer of III-N Materials and Devices from SiC
机译:
外延剥离和III-N材料和来自SIC的装置的转移
作者:
David J. Meyer
;
Brian P. Downey
;
Travis J. Anderson
;
D. Scott Katzer
;
Neeraj Nepal
;
Virginia D. Wheeler
;
David F. Storm
;
Matthew T. Hardy
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Nb_2N;
GaN;
HEMT;
LED;
Substrate reclaim;
83.
Transient Thermoreflectance for Device Temperature Assessment in Pulsed-Operated GaN-based HEMTs
机译:
脉冲操作GaN的悬臂下的装置温度评估瞬态热反射
作者:
Sara Martin-Horcajo
;
James W. Pomeroy
;
Benoit Lambert
;
Helmut Jung
;
Herve Blanck
;
Martin Kuball
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
HEMT;
GaN;
Self-heating;
Transient Thermoreflectance;
Time-Resolved Raman;
Thermal Modelling;
84.
AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN Substrates with Breakdown Voltage of 5 kV and Effective Lateral Critical Field of 1 MV/cm
机译:
AlGaN / GaN Hemts在独立的GaN基板上,击穿电压为5 kV和有效的侧向临界场1 mV / cm
作者:
Jie H. Ng
;
Joel T. Asubar
;
Hirokuni Tokuda
;
Masaaki Kuzuhara
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
AlGaN;
GaN;
HEMT;
Breakdown;
Free-standing GaN Substrate;
85.
Ablation Laser Dicing for GaN HEMT Device on 100μm SiC/Au Substrates
机译:
100μmSiC/ Au基板上的GaN HEMT装置的消融激光切割
作者:
Wade Skelton
;
Vivian Li
;
Yinbao Yang
;
Andrew Ketterson
;
Michael Lube
;
Harold Isom
;
Cathy Lee
;
Rob Kraft
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Laser Dicing;
Kerf;
GaN HEMT;
SiC;
Slag;
Recast;
86.
GaN MMIC Impingement Jet Cooled Embedded Diamond
机译:
GaN MMIC冲击喷射冷却嵌入式钻石
作者:
Vincent Gambin
;
Benjamin Poust
;
Dino Ferizovic
;
Monte Watanabe
;
Gary Mandrusiak
;
Thomas Dusseault
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
GaN;
High electron mobility transistor;
Computational fluid dynamics;
Diamond materials;
Microfluidics;
87.
GaN Unleashed: The Benefits of Microfluidic Cooling
机译:
GaN释放:微流体冷却的好处
作者:
John Ditri
;
Robert Pearson
;
Roland Cadotte
;
David Fetterolf
;
Michael McNulty
;
Denise Luppa
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Embedded Cooling;
Microfluidics;
DARPA ICECool;
88.
Development of K- and Ka-band High-Power Amplifier GaN MMIC Fabrication Technology
机译:
开发K-和KA波段大功率放大器GAN MMIC制造技术
作者:
K. Y. Osipov
;
S. A. Chevtchenko
;
R. Lossy
;
O. Bengtsson
;
P. Kurpas
;
N. Kemf
;
J. Wurfl
;
G. Trankle
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Ka-band;
GaN HEMT;
MMIC process;
89.
A SiN Passivation for Improved Moisture Reliability of Au Interconnect With Low-K BCB ILD
机译:
一种犯罪,可以提高使用Low-K BCB ILD互连的水分可靠性
作者:
J. K. Abrokwah
;
N. Perkins
;
R. Snyder
;
S. Rumery
;
G. Halac
;
R. Long
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Moisture Reliability;
THBL;
BHAST;
GaAs Devices;
HBTs;
Capacitors;
90.
Investigation of Traps in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors by Sub-Bandgap Optical Pumping
机译:
子带隙光学泵浦AlGaN / GaN高电子迁移晶体管陷阱的研究
作者:
T. S. Kang
;
Y. H. Lin
;
S. Ahn
;
F. Ren
;
B. P. Gila
;
S. J. Pearton
;
E. Patrick
;
D. J. Cheney
;
M. Law
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
HEMT;
Sub-bandgap optical pumping;
Non-destructive method;
Trap energy;
Trap location;
91.
Recovery in dc Performance of Off-State Step-Stressed AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with Thermal Annealing
机译:
具有热退火的断开状态级级AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的直流性能的恢复
作者:
Byung-Jae Kim
;
Shihyun Ahn
;
Tsung-Sheng Kang
;
Junhao Zhu
;
Fan Ren
;
Stephen J. Pearton
;
David J. Smith
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
HEMT;
Thermal annealing;
Off-state step-stress;
Self-healing device;
Thermal simulation;
92.
Fabrication Process Induced ESD Damage of MIM Capacitors on a 0.15μm pHEMT Process
机译:
制造工艺在0.15μm的PHEMT过程中诱导MIM电容器的ESD损坏
作者:
Robert Waco
;
Rose Emergo
;
Steve Brockett
;
Tertius Rivers
;
Yiping Wang
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
ESD;
MIM;
PHEMT;
AOI;
PA;
HV CPI;
93.
Demonstration of X-band T/R MMIC Using AFRL AlGaN/GaN MMIC Process
机译:
使用AFRL AlGaN / GaN MMIC工艺演示X频段T / R MMIC
作者:
J. K. Gillespie
;
K. D. Chabak
;
A. Crespo
;
R. C. Fitch
;
D. W. Ferwalt
;
D. E. Frey
;
J. D. Gassmann
;
R. D. Gilbert
;
A. J. Green
;
K. D. Leedy
;
R. K. Mongia
;
B. S. Poling
;
K. A. Sutherlin
;
S. E. Tetlak
;
J. P. Theimer
;
G. D. Via
;
D. E. Walker Jr.
;
M. Walker
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Gallium Nitride;
Power Amplifier;
Low Noise Amplifier;
T/R MMIC;
X-band;
94.
Simulation of Fabrication- and Operation-Induced Mechanical Stress in AlGaN/GaN Transistors
机译:
AlGaN / GaN晶体管中的制造和操作诱导的机械应力模拟
作者:
Sameer Joglekar
;
Chuanxin Lian
;
Rajesh Baskaran
;
Yan Zhang
;
Tomas Palacios
;
Allen Hanson
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
GaN;
Mechanical Stress;
Inverse Piezoelectric Effect;
Thermal Stress;
Field Plate;
Silicon Nitride;
95.
Performance Limiting Leakage Current Across Ar-Implantation Isolation in AlGaN/GaN Structures for High Power Applications
机译:
在高功率应用中的AlGaN / GaN结构中的AR植入隔离性能限制漏电流
作者:
Janina Moereke
;
Erwan Morvan
;
William Vandendaele
;
Fabienne Allain
;
Alphonse Torres
;
Matthew Charles
;
Marc Plissonnier
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Isolation;
AlGaN/GaN;
Leakage current;
Electrical characterization;
Power devices;
96.
Benefits and Requirements of Using SiC and/or GaN Power Switching Devices for 'Real' Power Control Systems
机译:
使用SIC和/或GaN电源开关装置的优势和要求,用于“真实”电源控制系统
作者:
Masayoshi Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
SiC;
GaN;
Power Switching;
Auto-mobile;
Power efficiency;
Power module;
97.
Plasma-Enhanced ALD for Improved MOS Interfaces in III-V Semiconductors
机译:
等离子体增强型ALD用于改进III-V半导体的MOS界面
作者:
V. G. Rezazadeh
;
K. M. Bothe
;
A. Afshar
;
K. C. Cadien
;
D. W. Barlage
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Gate oxides;
InP;
GaN;
MOSFET;
PEALD;
ZrO_2;
98.
Vanadium-based Ohmic Contact for Aluminum-rich n-AlGaN
机译:
基于钒的铝合金的欧姆欧姆 - Algan
作者:
T. T. Kao
;
Y. S. Liu
;
T. Detchprohm
;
R. D. Dupuis
;
S. C. Shen
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
AlGaN;
III-nitride;
Ohmic contact;
99.
Towards a Si Foundry-Compatible, High-Performance, ≤0.25 μm Gate, GaN-on-Si MMIC Process on High-Resistivity 200 mm <111> Si With A Cu Damascene BEOL
机译:
朝向SI铸造兼容,高性能,≤0.25μm门,高电阻率200mm <111> Si的GaN-On-Si MMIC工艺用Cu大巴径BEOL
作者:
Jeffrey LaRoche
;
Kelly Ip
;
Theodore Kennedy
;
Lovelace Soirez
;
William J. Davis
;
John P. Bettencourt
;
Doug Guenther
;
Gabe Gebara
;
Tina Trimble
;
Thomas Kazior
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
GaN;
HEMT;
Silicon;
MBE;
Damascene;
200 mm;
100.
Characterization and Modeling of Sub-Harmonic Oscillations in GaAs and GaN FET Technologies
机译:
GaAs和GaN FET技术中次谐波振荡的特征与建模
作者:
Mike Salib
;
Imad Ahmad
会议名称:
《International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology》
|
2016年
关键词:
Power Amplifiers;
HPA;
Parametric Oscillations;
Sub-Harmonic Oscillations;
GaAs PHEMT;
GaN HEMT STAN TOOL;
Focus Load Pull;
F/2 oscillation;
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