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新型高纯铝源研制

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高纯铝源是先进的金属有机化学气相沉积技术外延生长化合物半导体的重要支撑材料之一,本文研究可以替代三甲基铝的有机铝源.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|16-17|共2页
会议地点牡丹江
作者
孔令宇; 陈化冰; 虞磊; 潘毅;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
高纯铝源; 金属有机化学气相淀积; 外延生长; 化合物半导体; 光电子器件;

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