低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

马骁宇; 王树堂; 熊飞克; 郭良; 王仲明; 曾靖; 王丽明; 陈良惠

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．

著录项

来源
《半导体学报》 |1996年第5期|396-400|共5页
作者
马骁宇; 王树堂; 熊飞克; 郭良; 王仲明; 曾靖; 王丽明; 陈良惠;
展开▼
作者单位

中国科学院半导体研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
MOCVD; 外延生长; InGaAsP; InP; 应变量子阱材料;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长 [J] . 祝进田 ,李玉东 ,胡礼中 . 光子学报 . 1994,第3期
2. 低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析 [J] . 陈德勇 ,朱龙德 ,李晶 . 半导体学报：英文版 . 1993,第6期
3. 化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料 [J] . 孙殿照 ,阎春辉 ,国红熙 . 半导体情报 . 1991,第6期
4. 低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长 [J] . 陈博 ,王圩 ,汪孝杰 . 半导体学报：英文版 . 1998,第3期
5. LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究 [J] . 刘宝林 ,杨树人 ,陈佰军 . 固体电子学研究与进展 . 1995,第3期
6. ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱激光器结构材料 [C] . 陈伯军 . 第四届全国固体薄膜学术会议 . 1994
7. InGaAsP及InGaAIP四元系量子阱材料的MOCVD生长、表征及相关光电器件研究 [A] . 尉吉勇 . 2003

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅