文摘
英文文摘
论文说明:符号说明
声明
第一章 绪论
1.1研究的背景和意义
1.2论文的结构安排
参考文献
第二章 大失配外延技术及晶体质量测试方法
2.1大失配异质外延的技术现状
2.1.1缓冲层技术
2.1.2柔性衬底技术
2.1.3选区外延技术
2.2金属有机化学气相沉积外延技术
2.3晶体生长质量的测试方法
2.3.1 X射线衍射技术(XRD)
2.3.2光致发光技术(PL)
2.3.3扫描电子显微镜技术(SEM)
2.3.4透射电子显微镜术(TEM)
2.4本章小结
参考文献
第三章 InP/GaAs(100)异质外延生长技术的研究
3.1引言
3.2低温缓冲层法InP/GaAs的异质外延生长
3.2.1单层低温缓冲层法
3.2.2低温InP缓冲层与正常外延层的形貌关系
3.3应变超晶格在InP/GaAs异质外延生长中的应用
3.3.1 InP/GaxIn1-xP应变超晶格的生长
3.3.2 Ga0.1 In0.9P/InP SLS对InP/GaAs异质外延晶体的影响
3.3.3关于SIS方法InP/GaAs外延的应用
3.4本章小结
参考文献
第四章 InP/GaAs单片集成器件的制作
4.1单片集成"一镜斜置三镜腔"光探测器
4.1.1"一镜斜置三镜腔"光探测器的提出
4.1.2单片集成"一镜斜置三镜腔光探测器"的外延、制备
4.1.3长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器的测试
4.2关于楔形衬底的双波长探测现象的讨论和应用
4.2.1楔形衬底的双波长探测器的设计
4.2.2楔形衬底的双波长探测器的制备和测试
4.2.3应用讨论
4.3本章小结
参考文献
第五章 GaAs/Si和InP/GaAs/Si异质外延及其器件制作
5.1引言
5.2热失配导致的应变和应力分布模型
5.3基于低温缓冲层法的Si(100)4°衬底的GaAs异质外延生长
5.3.1 GaAs/Si(100)4°生长的实验方案
5.3.2实验测试结果与讨论
5.3.3基于Al(GaAs)As缓冲层的GaAs/Si(100)4°生长的实验方案
5.4基于刻槽工艺的mid-pattern GaAs/Si外延技术
5.4.1问题的提出
5.4.2基于刻槽技术的mid-pattern外延实验
5.5 InP/GaAs/Si外延及Si基波长选择性、长波长探测器的实现
5.6本章小结
参考文献
第六章 总结
致谢
攻读博士学位期间发表的学术论文和申请专利
