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一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法。该InP/InGaAs异质结构包括N

著录项

  • 公开/公告号CN107134405B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201710235790.5

  • 发明设计人 吕红亮;赵曼丽;赵小红;张义门;张玉明;

    申请日2017-04-12

  • 分类号

  • 代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人俞晓明

  • 地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 10:50:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-18

    授权

    授权

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170412

    实质审查的生效

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170412

    实质审查的生效

  • 2017-09-05

    公开

    公开

  • 2017-09-05

    公开

    公开

  • 2017-09-05

    公开

    公开

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