首页> 中文会议>第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 >抑制体硅CMOS器件闭锁的新方法

抑制体硅CMOS器件闭锁的新方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法-伪闭锁路径法.在详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,文章还提供了设计实例,给出了仿真和试验结果.伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动.

著录项

来源
《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2005年|342-345|共4页
会议地点成都
作者
许献国; 北京邮电大学; 徐曦; 胡健栋;
展开▼
作者单位

中国核学会;

中国电子学会;

中国工程物理研究院;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
体硅CMOS器件; 闭锁; 伪闭锁路径法;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 脉冲激光诱发130 nm体硅CMOS器件的单粒子闩锁效应 [J] . 李赛 ,陈睿 ,韩建伟 . 空间科学学报 . 2021,第004期
2. 体硅CMOS器件单粒子锁定原理 [J] . 赵智超 ,吴铁峰 . 科技创业月刊 . 2017,第011期
3. 体硅、SOI和SiCMOS器件高温特性的研究 [J] . 冯耀兰 . 固体电子学研究与进展 . 2000,第1期
4. 用中子辐照提高体硅CMOS器件的抗瞬时辐照能力 [J] . 宋钦岐 . 微电子学与计算机 . 1990,第1期
5. 注氧绝缘体上硅结构CMOS器件特性 [J] . Bor-Yen Mao ,肖辉杨 . 微电子学 . 1989,第5期
6. 抑制体硅CMOS器件闭锁的新方法 [C] . 许献国 ,徐曦 ,胡健栋 . 第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会 . 2004
7. 应变硅CMOS器件的自热效应与热载流子效应 [A] . 卢红利 . 2009

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号