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嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图

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摘要

本发明涉及嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图，涉及半导体集成电路工艺，通过改进锗硅生长区域版图，将相邻两个有源区之间的STI区域及与STI区域两侧相邻的有源区的部分区域定义为不透光的特定区域，使得经光刻刻蚀后形成的临近STI的沟槽呈完整的对称的sigma型，最终有源区上外延生长出的锗硅均是对称的有包边的锗硅，临近STI的锗硅靠近有源区的栅极侧的拐角顶点与器件沟道之间竖直方向的距离小于有源区内相邻两栅极之间的锗硅的拐角顶点与器件沟道之间竖直方向的距离，使得临近STI的器件沟道压应力提高促使漏电流大大增加，进而使得同一个有源区上的器件之间的漏电流偏差变小，而减少驱动能力出现失配的问题，大大提高产品良率。

著录项

  • 公开/公告号CN110783175A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201911022992.7

  • 发明设计人 李中华;李润领;田明;

    申请日2019-10-25

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人张彦敏

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2023-12-17 06:55:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20191025

    实质审查的生效

  • 2020-02-11

    公开

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