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PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究

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本文运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护.

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来源
《中国微米纳米技术第七届学术年会》|2005年|346-348|共3页
会议地点大连
作者
郭辉; 王煜; 张海霞; 田大宇; 张国炳; 李志宏;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;材料腐蚀与保护;
关键词
碳化硅薄膜; PECVD方法; 微机电系统; 离子注入; 抗腐蚀;

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