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低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备

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以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法、旋转涂胶和超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO<,2>薄膜.用近线性生长模型和分形生长模型研究了SiO<,2>溶胶的粘度-时间曲线,确定了SiO<,2>溶胶的结构演变过程.适合旋转涂胶的SiO<,2>溶胶的粘度为9mPa·s~15mPa·s;旋转涂胶时SiO<,2>溶胶的粒子尺寸与其浓度密切相关.该SiO<,2>薄膜具有三维网络结构,表面均匀平整,SiO<,2>微粒直径为10nm~20nm.SiO<,2>薄膜的厚度为400nm~1000nm;折射率为1.09~1.24;介电常数为1.5~2.5.

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来源
《第三届全国溶胶-凝胶科学技术学术会议》|2004年|141-144|共4页
会议地点杭州
作者
王娟; 张长瑞; 冯坚;
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作者单位

中国硅酸盐学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
纳米多孔薄膜; 二氧化硅; 低介电常数; 溶胶凝胶法; 旋转涂胶;

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