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首页> 中文会议>中国科协第五届青年学术年会材料科学技术分会暨第三届海内外中华青年材料科学技术研讨会 >化学溶液法在Al<,2>O<,3>单晶(1102)面沉积生长(200)面择优取向的CeO<,2>涂层的研究

化学溶液法在Al<,2>O<,3>单晶(1102)面沉积生长(200)面择优取向的CeO<,2>涂层的研究

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利用化学溶液沉积法在R面切割的Al<,2>O<,3>单晶基底上进行了沉积制备有(200)择优取向CeO<,2>涂层的研究.以无机铈盐为前驱体,采用浸渍提拉法制备溶液涂层,然后采用在空气中加热处理的方法,得到CeO<,2>涂层,并利用X射线衍射、拉曼光谱等对CeO<,2>涂层进行了表征.研究结果表明,影响CeO<,2>涂层的织构形成的关键因素包括铈盐前驱体溶液的Ce<'3+>浓度以及热处理制度.降低Ce<'3+>浓度结合提高晶化热处理温度有利于涂层(200)择优取向的形成.基于织构形成的实验研究,提出了(200)织构的形成是一个热力学推动的过程,通过Ce<,2>O<,3>氧化成为CeO<,2>,结合Al<,2>O<,3>基底的模板效应,形成(002)织构的CeO<,2>:Ce<,2>O<,3>(002+)+O<,2>→CeO<,2>(111)→CeO<,2>(200)(优势取向).X射线衍射峰强-转化温度的阿伦尼乌斯分析得出CeO<,2>(111)→CeO<,2>(200)织构形成的活化能为37.6kJ/mol.

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