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氢稀释调制技术制备纵向均匀的优质微晶硅薄膜

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本文采用氢稀释调制技术，成功地控制非晶孵化层厚度小于10 nm，获得了晶化度纵向均匀的微晶硅薄膜。微结构和电学性质研究表明：采用氢稀释调制技术在薄膜晶化度不变的条件下，大大改善了薄膜的质量。最终得到了XC =75﹪，Ea=0.41eV，σd 在10-7~10-6.-1cm-1，红外吸收谱中无氧峰的优质微晶硅薄膜。

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来源
《第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛》|2004年||共4页
会议地点深圳
作者
谷锦华; 朱美芳; 刘丰珍; 周炳卿; 刘金龙; 李国华; 丁琨;
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作者单位

中国太阳能学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类太阳能发电;
关键词
热丝化学气相沉积; 微晶硅薄膜; 氢稀释调制; 非晶孵化层; 纵向均匀性; 氢稀释调制技术;

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