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10Gb/s自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器的研究

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本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺,单指管子电流增益为80,发射极面积3.6um×6um的单管在V<,CE>=2V偏压条件下截至频率达到了60GHz.我们设计并制作了单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在3dB带宽频率时为59.3dBU,3dB带宽为9.4GHz,输出反射系数小于—9dB.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|58-62|共5页
会议地点大连
作者
袁志鹏; 孙海峰; 刘新宇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类放大器;
关键词
InGaP/GaAs HBT; 自对准工艺; 跨阻放大器;

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