自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

王延锋; 孙海峰; 刘新宇; 和致经; 吴德馨

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自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

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对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.

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来源
《半导体学报》 |2003年第4期|406-410|共5页
作者
王延锋; 孙海峰; 刘新宇; 和致经; 吴德馨;
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作者单位

中国科学院微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放大器;
关键词
自对准工艺; InGaP/GaAs; HBT; 跨阻放大器; 铟镓磷混合物; 砷化镓;

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