改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计(英文)

朱旻; 尹军舰; 张海英

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介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简单方式改善增益平坦度,除了耦合旁路电容以及射频扼流圈外,在实际电路中没有加入额外部件.其测量线性增益为23dB,大信号增益平坦度为±0.25dB,非常贴近仿真和目标值.此两级功放400MHz带宽下的输出线性功率为31dBm,增益附加效率为44%.本电路通过良好的失真补偿电路和扼流圈模型的使用,成功地改善了增益平坦度.

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来源
《半导体学报》 |2008年第8期|1441-1444|共4页
作者
朱旻; 尹军舰; 张海英;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放大技术、放大器;
关键词
功率放大器; MMIC; HBT;

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