InGaP/GaAs HBT器件多物理量建模研究

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摘要

ABSTRACT

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符号对照表

缩略语对照表

第一章 绪论

1.1 III-V族HBT器件及模型研究现状

1.1.1 III-V族HBT发展与研究现状

1.1.2 HBT器件模型发展与研究现状

1.2 本文研究意义及思路

1.3 本文研究内容

第二章 异质结双极型晶体管基础

2.1 InGaP/GaAs HBT理论基础

2.1.1 BJT结构及原理

2.1.2 HBT结构及原理

2.2 HBT的特性及各种效应

2.2.1 直流特性

2.2.2 交流特性

2.2.3 HBT的各种效应

2.3 本章总结

第三章 InGaP/GaAs HBT小信号及大信号模型

3.1 HBT小信号模型拓扑

3.2 HBT小信号模型参数提取

3.2.1 寄生部分参数提取

3.2.2 本征参数提取

3.3 HBT大信号模型简介

3.3.1 Gummel-Poon模型

3.3.2 VBIC模型

3.3.3 HICUM模型

3.4 AgilentHBT大模型及其参数

3.4.1 AgilentHBT大模型等效电路

3.4.2 AgilentHBT模型概述

3.4.3 AgilentHBT模型参数

3.5 本章小结

第四章 基于InGaP/GaAs HBT的器件模型建立

4.1 器件测试

4.1.1 测试流程

4.1.2 测试过程中的去嵌（De-Embedding）

4.1.3 直流（DC）部分测试

4.1.4 高频测试

4.2 模型参数调整与拟合

4.2.1 Agilent HBT模型参数修改

4.2.2 模型调试与拟合

4.3 基于powercell的HBT模型验证与修正

4.4 本章小结

第五章 总结与展望

5.1 结论

5.2 未来工作

参考文献

致谢

作者简介

1. 基本情况

2. 教育背景

3. 攻读硕士学位期间的研究成果