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适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法

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本发明公开了一种适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法，该方法包括：采用湿法腐蚀形成隔离台面，然后光刻栅条；蒸发Ti/Pt/Au栅金属结构，接着常规剥离形成金属图形；最后在高温快速退火炉内，在氮气气氛下退火，温度范围为280至320度，时间为10至40分钟，形成增强型器件栅极。利用本发明，解决了DCFL IC的逻辑摆幅Vm小(受势垒高度的固有限制)的问题，达到了精确控制E-HEMT域值电压Vth的目的，成功制作了稳定一致的增强型器件，保证了增强型器件域值电压在零以上，确保了E/D型器件及其逻辑电路正常工作。

著录项

公开/公告号CN101471260B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-02

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN200710303895.6
发明设计人黎明;徐静波;付晓君;
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申请日2007-12-26
分类号H01L21/335(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:04:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-06-02

授权

授权
2009-08-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-07-01

公开

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