GaAs基单片集成InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMTs(英文)

李海鸥; 张海英; 尹军舰; 叶甜春

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提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.

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来源
《半导体学报》 |2005年第12期|2281-2285|共5页
作者
李海鸥; 张海英; 尹军舰; 叶甜春;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN325.3;
关键词
赝配高电子迁移率晶体管; 增强型; 耗尽型; 阈值电压; GaAs;

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