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MEMS薄膜断裂强度的静电测试结构模型

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本文在Matten提出的多晶硅断裂强度的静电测试结构基础上,给出了一种改进的数学模型,根据此理论模型可直接通过外加电压的测量决定多晶硅断裂强度,并用ANSYS模拟结果验证了该理论模型准确性.与原有结构模型相比需要测试量少且测试简单.

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来源
《第八届敏感元件与传感器学术会议》|2003年|83-88|共6页
会议地点北京
作者
梅年松; 黄庆安;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国电子学会;

中国航空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜技术;
关键词
MEMS薄膜; 断裂强度; 静电测试结构;

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