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a-Si:H/SiO<,2>多层膜中的激光诱导限制结晶

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我们利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法和等离子体氧化技术原位制备了a-Si:H/SiO<,2>多层膜,并依据激光诱导限制结晶原理,用KrF准分子脉冲激光辐照样品的方法,使a-Si:H/SiO<,2>多层膜进行晶化.拉曼(Raman)散射谱和电子衍射(ED)谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅(nc-Si)颗粒在原始的a-Si:H子层内形成,晶粒尺寸可以精确控制,它是由a-Si:H层的厚度决定,且尺寸分布均匀.同时我们研究了激光辐照功率密度对晶化比例的影响.

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来源
《第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会》|2003年|330-333|共4页
会议地点北京
作者
乔峰; 黄信凡; 隋妍萍; 李伟; 马忠元; 李鑫; 邹和成; 陈坤基;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
脉冲激光; 限制结晶; 等离子; 化学气相淀积; a-Si:H/SiO,2多层膜; 激光辐照;

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